Nexperia Diodi a commutazione ad alta velocità BAS16L
I diodi di commutazione ad alta velocità BAS16L di Nexperia sono incapsulati in un package in plastica SMD ultra-piccolo DFN1006BD-2 (SOD882BD) senza piombo con flanche bagnabili lateralmente. Questi diodi operano ad alta velocità di commutazione Trr ≤4ns, tensione inversa di picco ripetitiva VRRM a 100 V, bassa capacità e tensione inversa VR ≤100 V. I diodi BAS16L presentano package in plastica SMD senza piombo ultrapiccoli, qualificati AEC-Q101 e utilizzati in applicazioni come la commutazione ad alta velocità e la commutazione per uso generico.
Caratteristiche
- Alta velocità di commutazione: Trr ≤4ns
- VRRM ≤100 V di tensione inversa di picco ripetitiva
- VR ≤100 V di tensione inversa
- Bassa corrente di dispersione
- Bassa capacità elettrica
- Package in plastica SMD ultrapiccolo e senza piombo
- Conformi alle qualifiche AEC-Q101
Applicazioni
- Commutazione ad alta velocità
- Commutazione a uso generico
Curva delle caratteristiche
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| Codice prodotto | Package/involucro | Vf - Tensione diretta | Temperatura di lavoro minima | Temperatura di lavoro massima | Pd - Dissipazione di potenza | RoHS - Mouser | Tensione inversa di picco | Sovracorrente temporanea max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS16LS-QYL | DFN-1006BD-2 | 1.25 V | - 55 C | + 150 C | 645 mW | Y | 100 V | 4 A |
| BAS16L,315 | DFN-1006-2 | 1.25 V | - 65 C | + 150 C | Y | 100 V | 4 A | |
| BAS16LSYL | SOD-882BD-2 | 1.25 V | - 55 C | + 150 C | 345 mW | Y | 100 V | 4 A |
Pubblicato: 2021-12-06
| Aggiornato: 2023-10-30