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Nexperia Gate NAND a 2 ingressi 74HC1G00/74HCT1G00

I gate NAND Nexperia 74HC1G00 e 74HCT1G00 a 2 ingressi sono progettati per una vasta gamma di applicazioni digitali. Questi gate presentano un ampio intervallo di tensioni di alimentazione da 2,0 V a 6,0 V per 74HC1G00 e 4,5 V a 5,5 V per 74HCT1G00 rendendo questi gate NAND Nexperia adatti ad ambienti con varie tensioni. Questi dispositivi offrono un'elevata immunità al rumore e dissipazione a bassa potenza garantendo prestazioni affidabili nei circuiti complessi. Gli ingressi includono diodi di bloccaggio, che consentono l'uso di resistori limitatori di corrente per interfacciarsi con tensioni superiori alla tensione di alimentazione. Queste porte NAND sono ideali per le funzioni logiche, l'inversione di segnale, i circuiti di temporizzazione, la logica di controllo e le applicazioni di conservazione dei dati.

Caratteristiche

  • Ampio intervallo di tensione di alimentazione
    • 2,0 V a 6,0 V per 74HC1G00
    • Da 4,5 V a 5,5 V per il 74HCT1G00
  • Dissipazione a bassa potenza CMOS
  • Livelli di ingresso
    • Livello CMOS per 74HC1G00
    • Livello TTL per 74HCT1G00
  • Impedenza di uscita simmetrica
  • Alta immunità al rumore
  • Le prestazioni di latch-up superano i 100 mA per il livello B della classe II della norma JESD78
  • Opzioni di package SOT353-1 (TSSOP5), SOT753 (SC-74A) e SOT8065-1 (XSON5)
  • Ritardi di propagazione bilanciati
  • Protezione ESD
    • HBM supera 2.000 V per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 classe 2
    • CDM supera 1.000 V per ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 classe C3
  • Conformità con gli standard JEDEC
    • JESD8C: da 2,7 V a 3,6 V.
    • JESD7A (da 2,0 V a 6,0 V).
  • Specificato da -40 °C a +85 °C e da -40 °C a +125 °C

Applicazioni

  • Funzioni logiche
  • Inversione del segnale
  • Circuiti di temporizzazione
  • Logico di controllo
  • Conservazione dei dati

Specifiche

  • Corrente di clampaggio di ingresso minima ±20 mA
  • Corrente di clampaggio di uscita massima ±20 mA
  • Corrente di uscita massima di ±12,5 mA
  • Corrente di alimentazione massima 25 mA
  • Corrente di terra minima di -25 mA
  • Dissipazione di potenza totale massima di 250 mW

Diagrammi funzionali

Disegno meccanico - Nexperia Gate NAND a 2 ingressi 74HC1G00/74HCT1G00
Pubblicato: 2025-04-03 | Aggiornato: 2025-04-21