Microchip Technology MOSFET di potenza N-Ch al carburo di silicio MSC017SMA120x
I MOSFET di potenza N-Ch al carburo di silicio MSC017SMA120x di Microchip Technology aumentano le prestazioni rispetto ai MOSFET al silicio e alle soluzioni IGBT al silicio riducendo al contempo il costo totale nelle applicazioni ad alta tensione. I MOSFET SiC MSC017SMA120x di Microchip offrono alta efficienza per consentire un sistema più leggero e compatto con capacità termiche migliorate e minori perdite di commutazione.
Il dispositivo MSC017SMA120J è un MOSFET SiC da 1200 V, 17 mΩ in un package SOT-227. Il dispositivo MSC017SMA120B4 è un MOSFET SiC da 1200 V e 17 mΩ in un package TO-247 con rilevamento della sorgente. Il dispositivo MSC017SMA120S è un MOSFET SiC da 1200 V, 17 mΩ in un package TO-268 (D3PAK).
Caratteristiche
- Bassa capacità e bassa carica di gate
- Velocità di commutazione elevata grazie alla bassa resistenza del gate interno (ESR)
- Funzionamento stabile ad alta temperatura di giunzione, TJ(max . = 175 °C
- Diodo di corpo rapido e affidabile
- Eccellente robustezza effetto a valanga
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Inverter PV, convertitore e unità motore industriali
- Trasmissione e distribuzione di reti intelligenti
- Riscaldamento e saldatura a induzione
- Gruppo propulsore H/EV e caricabatterie EV
- Alimentazione e distribuzione
Risorse aggiuntive
Tipi di package
Pubblicato: 2021-05-11
| Aggiornato: 2022-03-11