Infineon Technologies MOSFET OptiMOS-5 per autoveicoli da 60 V IAUZ4xN06S5
I MOSFET OptiMOS™ -5 a 60 V di Infineon Technologies IAUZ4xN06S5 per il settore automobilistico sono caratterizzati da una bassa resistenza di drain source on state, da una bassa carica di gate e da una bassa capacità di gate, che riducono al minimo le perdite di conduzione e di commutazione. Questi MOSFET a canale N, in modalità di potenziamento, presentano inoltre una carica di recupero inversa estremamente bassa, compresa tra 22,7nC e 23,0nC.
I MOSFET OptiMOS-5 IAUZ4xN06S5 sono conformi alla norma AEC-Q101 per il settore automobilistico. IAUZ40N06S5 da 5,0 mΩ è disponibile in un pacchetto S3O8 (PG-TSDSON-8) da 3 mm x 3 mm. Il modulo IAUC41N06S5 da 10,2 mΩ è offerto in un pacchetto SS08 singolo (PG-TDSON-8) da 5 mm x 6 mm.
Caratteristiche
- MOSFET di alimentazione OptiMOS per il settore automobilistico
- Dispositivi a canale N, in modalità di potenziamento, a livello logico
- Qualifica estesa oltre alla norma AEC-Q101
- Test elettrici potenziati
- Design robusto
- MSL1 con rifusione di picco fino a 260°C
- Temperatura massima di funzionamento: 175°C
- Prodotto ecologico (conforme alla direttiva RoHS)
- Collaudati al 100% con metodo a valanga
Applicazioni
- Applicazioni per il settore automobilistico generico
- CC-CC
- Illuminazione a LED
- Ricarica wireless
- ADAS
- Applicazioni CAV (24V)
Specifiche
- Tensione di ripartizione della sorgente di drenaggio 60 V (V(BR)DSS)
- Resistenza di stato della sorgente di drenaggio (RDS(on))
- IAUZ40N06S5: 5,0 mΩ
- IAUC41N06S5: 10,2 mΩ
- Corrente di scarico continua (ID)
- IAUZ40N06S5: 90A
- IAUC41N06S5: 47A
- Tensione gate-source (VGS)
- IAUZ40N06S5: ±16V
- IAUC41N06S5: ±20V
- Dissipazione di potenza
- IAUZ40N06S5: 71W
- IAUC41N06S5: 42W
- Carica di recupero inverso (Qrr)
- IAUZ40N06S5: 23nC
- IAUC41N06S5: 22.7nC
- Opzioni di pacchetto
- IAUZ40N06S5: 3mm x 3mm S3O8 (PG-TSDSON-8)
- IAUC41N06S5: SS08 singolo da 5 mm x 6 mm (PG-TDSON-8)
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Pubblicato: 2021-11-23
| Aggiornato: 2022-03-11