Infineon Technologies MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 750 V G2

I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 750 V G2 di Infineon Technologies sono progettati per offrire elevata efficienza, robustezza contro l'accensione parassita per il pilotaggio di gate unipolari e affidabilità. Questi MOSFET offrono prestazioni superiori nelle topologie a Totem Pole, ANPC, raddrizzatore Vienna e FCC hard-switching. La riduzione della capacità di uscita (Coss) consente ai MOSFET di funzionare a frequenze di commutazione più elevate nelle topologie di commutazione soft Cycloconverter, CLLC, DAB e LLC. I MOSFET CoolSiC™ 750 V G2 presentano una resistenza di conduzione massima di 78 mΩ e perdite di commutazione grazie al miglioramento del controllo della porta. Questi MOSFET sono qualificati per l'uso in ambito automobilistico e industriale. Le applicazioni tipiche includono l'infrastruttura di ricarica dei veicoli elettrici, le telecomunicazioni, gli interruttori automatici, i relè a stato solido, gli inverter fotovoltaici e i convertitori CC-CC HV-LV.