Infineon Technologies Memorie non volatili F-RAM seriali Cypress
Le memorie F-RAM (RAM ferroelettrica) seriali di Cypress Semiconductor combinano storage di dati non volatile ROM all'alta velocità della RAM. Le memorie F-RAM seriali offrono un'ampia varietà di interfacce e opzioni di densità, incluse le interfacce SPI e I2C, package standard del settore e densità comprese tra 4 kB e 2 MB. La F-RAM seriale Cypress ha tre vantaggi che la contraddistinguono dalle tecnologie non volatili di tipo tradizionale: velocità di scrittura maggiore, resistenza estremamente elevata e basso consumo energetico.
The devices are made of a ferroelectric material that is highly resistant to influence by radiation and magnetic field exposure. This provides soft error rate immunity for a superior alternative to MRAM. These F-RAM devices are typically used in mission-critical applications. This includes smart meters, automotive electronics, industrial control, and automation equipment, multifunction printers and portable medical devices.
Caratteristiche
- Fast write speed with no write delays
- Instant non-volatility
- 100 trillion cycles read/write endurance
- Low 3mA active current and 6µA standby current
- No batteries or capacitors required
- No wear leveling required
- Intrinsic gamma radiation tolerance
- 151-year data retention
- Automotive AEC-Q100 qualified parts available
Applicazioni
- Mission-critical applications
- Smart meters
- Automotive electronics
- Industrial control and automation equipment
- Multifunction printers and portable medical devices
Video
Associated Products
Infineon Technologies CY15B104Q 4-Mbit Serial SPI F-RAM
4-Mbit nonvolatile Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) logically organized as 512K×8.
Development Tool
Infineon Technologies Scheda convertitore REF-DAB11KIZSICSYS
Uno stadio CC-CC con un'uscita ad ampia gamma che utilizza 2 induttori e 2 condensatori (CLLC) di rete risonante.
Pubblicato: 2012-02-15
| Aggiornato: 2023-11-20