Infineon Technologies Memoria HyperRAM™ 2.0 S80KS2562 E S80KS2563 da 256 MB

La memoria HYPERRAM™ 2.0 S80KS2562 e S80KS2563 di Infineon Technologies è una RAM dinamica (DRAM) ad alta velocità, a basso numero di pin e a bassa potenza con aggiornamento automatico e un'interfaccia HyperBUS (S80KS2562) o Octal xSPI (S80KS2563). Entrambi i dispositivi presentano una velocità di clock massima di 200 MHz, un throughput di dati fino a 400 Mbps e modalità di sospensione ibrida a risparmio energetico e di spegnimento profondo. Gli HyperRAM S80KS2562 e S80KS2563 sono ideali per l'uso in sistemi integrati ad alte prestazioni che richiedono memoria di espansione scratchpad o buffer.

Le interfacce HyperBus e Octal xSPI supportate dai prodotti HyperRAM si basano sulle funzionalità legacy delle memorie di interfaccia parallela e seriale, migliorando al contempo le prestazioni del sistema e la facilità di progettazione e riducendo i costi di sistema.

L'architettura a basso numero di pin rende HyperRAM particolarmente adatta alle applicazioni con limiti di potenza e di spazio sulla scheda che richiedono una RAM esterna al chip.

La memoria HyperRAM S80KS2562 e S80KS2563 da 256 MB di Infineon Technologies è disponibile in un package FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) a 24 sfere.

Caratteristiche

  • Tecnologia: DRAM a 25 nm
  • Interfaccia
    • S80KS2562: interfaccia HyperBUS™
    • S80KS2563: interfaccia xSPI (ottale)
    • Supporto interfaccia da 1,8 V
      • Clock a terminazione singola (CK) con 11 segnali bus
      • Clock differenziale opzionale (CK, CK#) con 12 segnali bus
    • Selezione chip (CS#)
    • Bus dei dati a 8 bit (DQ[7:0])
    • Ripristino hardware (RESET#)
    • Dati di lettura-scrittura bidirezionali strobe (RWDS)
      • Uscita all'inizio di tutte le transazioni per indicare la latenza di aggiornamento
      • Uscita durante le transazioni di lettura con strobe di dati di lettura
      • Inserimento durante le transazioni di scrittura come maschera dati di scrittura
  • Aggiornamento matrice
    • Matrice di memoria parziale
    • Completo
  • Alimentazione
    • Consumo di corrente di lettura/scrittura survoltore 22 mA/25 mA
    • Modalità di sospensione ibrida
    • Modalità spegnimento profondo
  • Prestazioni
    • Velocità di clock massima di 200 MHz
    • Tempo di accesso massimo di 35 ns
    • DDR: trasferisce dati su entrambi i bordi del clock
    • Throughput dati fino a 400 Mbps (3.200 Mbps)
    • Caratteristiche di survoltore configurabili
      • Survoltore lineare
      • Lunghezza survoltore avvolta
        • 16 byte (8 clock)
        • 32 byte (16 clock)
        • 64 byte (32 clock)
        • 128 byte (64 clock)
      • Opzione ibrida: un survoltore avvolto seguito da un survoltore lineare
    • Forza di azionamento di uscita configurabile
  • Package
    •  Package FBGA-24 da 6,0 mm x 8,0 mm, passo da 1,0 mm

Applicazioni

  • Quadri di bordo, sistemi di intrattenimento e telematici per autoveicoli
  • Pannelli di visualizzazione HMI industriali e di consumo
  • Visione industriale
  • Dispositivi indossabili di consumo
  • Moduli di comunicazione

Video

Schema a blocchi logici

Schema a blocchi - Infineon Technologies Memoria HyperRAM™ 2.0 S80KS2562 E S80KS2563 da 256 MB
Pubblicato: 2021-12-29 | Aggiornato: 2023-04-25