Torna a Infineon Technologies

Infineon Technologies Transistor di potenza in silicio ad arricchimento GS665xx

I transistor ad alta mobilità elettronica (E-HEMT) ad arricchimento GS665xx di Infineon Technologies presentano alta corrente, alta tensione di rottura e alta frequenza di commutazione. Questi transistor di potenza includono il layout delle celle con matrice ad alta corrente e alta resa, mentre il piccolo package GaNPX® consente bassa induttanza e bassa resistenza termica. Questi transistor di potenza offrono una resistenza termica molto bassa da giunzione a involucro per applicazioni ad alta potenza. I transistor di potenza in silicio ad arricchimento GS665xx sono disponibili come transistor raffreddati sul lato inferiore o sul lato superiore. Questi transistor di potenza forniscono un die FOM ultrabasso, capacità di corrente inversa e perdita di recupero inverso pari a zero.

I transistor di potenza in silicio ad arricchimento GS665xx operano a un intervallo di temperature di funzionamento da -55 °C a 150 °C. Offrono un’alta frequenza di commutazione >10 MHz e una tensione drain-source transitoria 750 V. Le applicazioni tipiche includono convertitori CA-CC, convertitori CC-CC, gruppi di continuità, unità di azionamento di motori industriali, unità di azionamento motori di elettrodomestici, carica rapida della batteria, adattatori di alimentazione e trasferimento di alimentazione wireless.

Caratteristiche

  • Versione raffreddata dal basso o dall'alto
  • Die Island Technology® con FOM ultrabassa
  • Tempi di salita e discesa controllabili e rapidi
  • Capacità di corrente inversa
  • Recupero inverso nullo
  • Conforme a RoHS3 (6 + 4)
  • Package a bassa induttanza

Specifiche

  • Frequenza di commutazione di >10 MHz
  • Intervallo temperatura di funzionamento da -55 °C a 150 °C
  • Intervallo di tensione di pilotaggio del gate semplice da 0 V a 6 V
  • Transistor di potenza 650 V ad arricchimento
  • Tensione drain-source transitoria 750 V
  • Tensione di pilotaggio del gate tollerante ai transitori -20V/10V

Applicazioni

  • Convertitori CA-CC
  • Convertitori CC-CC
  • Gruppi di continuità
  • Unità di azionamenton industriali
  • Unità di azionamento motori di elettrodomestici
  • Ricarica rapida della batteria
  • Amplificatori audio di classe D
  • Adattatori di alimentazione
  • Trasferimento di alimentazione wireless

Maggiori informazioni su

Video

Prodotti correlati

Infineon Technologies GS66516B 650V GaN Bottom-side Cooled Transistor

Designed for very low junction-to-case thermal resistance for demanding high-power applications.

Learn MoreInformazioni su Infineon Technologies GS66516B 650V GaN Bottom-side Cooled Transistor View ProductsCorrelato a Infineon Technologies GS66516B 650V GaN Bottom-side Cooled Transistor
Pubblicato: 2020-08-26 | Aggiornato: 2024-09-04