Diodes Incorporated MOSFET DMN3012LEG

Il MOSFET DMN3012LEG di Diodes Incorporated  è un MOSFET sincrono a canale N da 30 V in modalità enhancement   con bassa resistenza di accensione e rapida velocità di commutazione. Questo MOSFET conforme alla normativa RoHS offre bassa capacità di ingresso e una maggiore affidabilità  con una robustezza del 100% dell'interruttore induttivo non bloccato (UIS)  testato in produzione. Il MOSFET DMN3012LEG presenta un design MOS diffuso laterale (LDMOS) che riduce le perdite di potenza ed è ottimizzato per alta densità di potenza, alta efficienza e capacità ad alta frequenza. Questo MOSFET è ideale per convertitori CC-CC e applicazioni di risparmio energetico ad alta efficienza.

Caratteristiche

  • Test dell'interruttore induttivo (UIS) non bloccato al 100% in produzione
  • Bassa resistenza in conduzione
  • Bassa capacità di ingresso
  • Velocità di commutazione elevata
  • Finitura senza piombo
  • Efficienza di potenza di picco: 95%
  • Prestazioni migliorate a carico leggero
  • Temperatura di sistema ridotta
  • Affidabilità migliorata
  • Conforme a RoHS

Specifiche

  • Resistenza drenaggio-sorgente: 12 mΩ
  • Intervallo delle temperature di funzionamento: da -55 °C a 150 °C
  • Dissipazione di potenza: 2,2 W

Applicazioni

  • Convertitori CC-CC
  • Funzioni di gestione dell'energia
  • Ottimizzato per applicazioni di gate drive da 5 V

Diagramma di circuito

Schema di circuito di applicazione - Diodes Incorporated MOSFET DMN3012LEG

Diagramma di riferimento delle prestazioni

Grafico delle prestazioni - Diodes Incorporated MOSFET DMN3012LEG
Pubblicato: 2020-06-08 | Aggiornato: 2024-08-01