Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

Il MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3 di Diodes Incorporated è progettato per ridurre al minimo la resistenza nello stato attivo (RDS(ON)) ed è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Questo MOSFET presenta una bassa carica del gate e una bassa carica gate-to-drain per prestazioni di commutazione rapide. Il MOSFET DMN1057UCA3 presenta un design compatto e ultrapiatto con un'altezza di soli 0,26 mm, che lo rende ideale per applicazioni con spazi limitati. Questo MOSFET offre una dissipazione di potenza fino a 1,81 W e una resistenza termica fino a 198,6 °C/W. Il MOSFET a canale N DMN1057UCA3 è impiegato nella gestione delle batterie, negli interruttori di carico e nelle applicazioni di protezione delle batterie.