Diodes Incorporated Gate driver a monte e a valle DGD0579U
Il gate driver a monte e a valle DGD0579U di Diodes Inc. è un driver di porta ad alta frequenza con diodo di bootstrap interno in grado di gestire MOSFET a canale N in una configurazione a mezzo ponte. Il driver flottante a monte ha una tensione nominale fino a 100 V in una configurazione bootstrap. Gli ingressi logici DGD0579U sono compatibili con i livelli TTL e CMOS standard (fino a 3,3 V) per interfacciarsi facilmente con gli MCU. Un UVLO a monte e a valle protegge i MOSFET con perdita di alimentazione. La logica di prevenzione della conduzione incrociata protegge i MOSFET anche impedendo l'accensione simultanea di HO e LO. I ritardi di propagazione rapidi e ben abbinati permettono una maggiore frequenza di commutazione, consentendo un design della commutazione di potenza più piccolo e compatto, utilizzando componenti associati più piccoli. È incluso un diodo di bootstrap interno per ridurre al minimo lo spazio e il DGD0579U di Diodes Inc. è offerto nel package W-DFN3030-10 e opera su un intervallo di temperatura esteso da -40 °C a +125 °C.
Caratteristiche
- Driver flottante a monte da 100 V
- Gestisce due MOSFET a canale N in una configurazione a mezzo ponte
- Capacità di corrente in uscita sorgente 5 A / dissipatore 2,5 A
- Diodo interno bootstrap
- Blocco sottotensione per driver a monte e a valle
- Accoppiamento di ritardo massimo di 10 ns
- Ritardo di propagazione tipico di 60 ns
- Capacità di ingresso logico (HIN, LIN ed EN) di 3,3 V
- Correnti di standby ultrabasse (< 1 µA)
- Intervallo di temperatura esteso da -40 °C a 125 °C
- Completamente privo di piombo e conforme a RoHS
- Dispositivo “green” privo di alogeni e antimonio
Applicazioni
- Convertitori CC-CC
- Controlli motori
- Utensili manuali alimentati a batteria
- Amplificatori di potenza di classe D
Schema a blocchi funzionale
Pubblicato: 2022-01-05
| Aggiornato: 2022-03-11