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Diodes Incorporated Driver di porta a doppio canale isolati API21552Q

I driver di gate a doppio canale API21552Q di Diodes Inc.  sono AEC-Q100 qualificati e progettati per applicazioni di potenza automotive e industriali esigenti. Con una corrente di azionamento di picco fino a 4 A di sorgente e 6 A di picco di scarico, questi dispositivi forniscono un controllo affidabile degli switch di potenza GaN, MOSFET, SiC e IGBT, supportando tensioni di alimentazione in uscita fino a 30 V. I driver API21552Q offrono prestazioni di commutazione rapide con un ritardo di propagazione tipico di 40 ns, una bassa distorsione dell'ampiezza d'impulso e un'eccellente corrispondenza tra i canali, contribuendo a ottimizzare l'efficienza nei sistemi di conversione di potenza ad alta frequenza.

Costruiti per un funzionamento robusto in ambienti elettricamente rumorosi, l'API21552Q offre un'immunità ai transitori in modalità comune (CMTI) superiore a 150 V/ns e incorpora un filtro deglitch di 5 ns per migliorare la reiezione del rumore. I dispositivi offrono un isolamento rinforzato di 5.700 VRMS e sono certificati secondo i principali standard di sicurezza, rendendo questi driver ideali per caricabatterie di bordo HEV ed EV, controlli per inverter di trazione, azionamenti per motori e convertitori CC-CC isolati. Le funzionalità aggiuntive, come la funzione di pull-down attiva, il controllo di disattivazione esterno, le opzioni multiple di blocco per sottotensione (UVLO) (5 V, 8 V e 12 V) e il funzionamento in un intervallo di temperatura da -40 °C a +125 °C, migliorano l'affidabilità del sistema e la flessibilità di progettazione nell'elettronica di potenza automotive di nuova generazione.

Caratteristiche

  • Driver di gate a doppio canale isolati
  • Tensione di alimentazione lato ingresso da 3 V a 5,5 V
  • Uscita di corrente di sorgente di picco fino a 4 A e corrente di sink di picco fino a 6 A
  • Immunità ai transienti in modalità comune (CMTI) superiore a 150 V/ns
  • Alimentazione del driver di uscita VDD fino a 30 V
  • Opzioni UVLO per VDD da 5 V, 8 V e 12 V
  • Parametri di commutazione
    • Ritardo di propagazione tipico: 40 ns
    • Adattamento del ritardo massimo: 8 ns
    • Distorsione della durata di impulso massima: 7 ns
    • Ritardo massimo di accensione di VDD di 10 μs
  • Durata della barriera di isolamento >40 anni
  • Filtro integrato deglitch da 5 ns
  • Funzionalità di pulldown attiva
  • Confezionato in SO-16W (Tipo CJ)
  • Intervallo delle temperature di funzionamento: da -40°C a +125°C
  • Certificazioni correlate alla sicurezza
    • 8.000 VPK per SO-16W (tipo CJ), secondo la norma DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.700 VRMS per SO-16W (tipo CJ) per 1 minuto, secondo UL 1577
    • Certificazione CQC per GB4943.1
  • Certificazione AEC-Q100 con i seguenti risultati
    • Classe di temperatura 1
    • ESD HBM del dispositivo 4 kV
    • ESD CDM del dispositivo 1,5 kV
  • Completamente privo di piombo e conforme a RoHS
  • Dispositivo ecologico, esente da alogeni e antimonio
  • Adatto per applicazioni automotive che richiedono un controllo modifiche specifico, qualificato AEC-Q100, compatibile PPAP e prodotto in strutture certificate IATF 16949

Applicazioni

  • Caricabatterie di bordo per veicoli elettrici e ibridi
  • Azionamenti motori nel settore automobilistico
  • Controllo inverter per veicoli elettrici e ibridi
  • Convertitori CC-CC isolati nel settore automobilistico

Specifiche

  • Valori nominali di potenza massimi
    • Dissipazione di potenza di 950 mW (su entrambi i lati)
    • Dissipazione di potenza di 50 mW sul lato del trasmettitore
    • Dissipazione di potenza di 450 mW su ciascun lato del driver
  • Corrente di alimentazione
    • Corrente di riposo massima di VCC di 2,5 mA, tipica di 1,5 mA
    • Corrente di riposo massima di VDDA/VDDB, tipica di 1,4 mA
    • Corrente operativa massima di VCC di 4,6 mA, tipica di 2,7 mA
    • Corrente operativa massima di VDDA e VDDB di 5 mA, tipica di 3 mA
  • Uscita
    • Resistenza di pull-up massima di 10 Ω, tipica di 4 Ω
    • Resistenza di pull-down massima di 1,1 Ω, tipica di 0,55 Ω
    • Pull-down attivo in uscita massimo di 2 V su OUTX, 1,6 V tipico
  • A commutazione
    • Tempo di salita in uscita massimo di 16 ns, 5 ns tipico
    • Tempo di discesa in uscita massimo di 12 ns, 6 ns tipico
    • Ritardo di propagazione massimo di 60 ns, 40 ns tipico
    • Ritardo di risposta DIS massimo di 70 ns, 45 ns tipico
    • Larghezza dell'impulso di ingresso massima di 30 ns che passa all'uscita, 10 ns tipica
    • Intervallo di ritardo di propagazione da 0 ns a 7 ns
    • Intervallo di distorsione della larghezza dell'impulso da 0 ns a 7 ns
    • Immunità a transiente in modalità comune di 150 V/ns
  • Valori limite di sicurezza
    • Corrente di alimentazione di uscita di sicurezza di 61 mA
    • Alimentazione della tensione di uscita di sicurezza
      • 50 mW lato ingresso
      • 925 mW lato driver A/B
      • 1900 mW totale
    • Temperatura di sicurezza +150 °C
  • Isolamento
    • Distanza esterna/dispersione >8 mm
    • Distanza attraverso l'isolamento 26 µm
    • Indice di tracciamento comparativo >600 V
    • Materiale gruppo I per IEC 60664-1
  • Informazioni termiche del package
    • Resistenza termica giunzione-ambiente di 65,8 °C/W
    • Resistenza termica giunzione-case di 28,1 °C/W
    • Resistenza termica giunzione-circuito stampato di 23,2 °C/W
    • Parametro di caratterizzazione giunzione-superficie superiore di 7,35 °C/W
    • Parametro di caratterizzazione giunzione-circuito stampato di 22 °C/W
    • Resistenza termica giunzione-case (parte inferiore) di 31,3 °C/W

Circuito di applicazione tipico

Schema di circuito di applicazione - Diodes Incorporated Driver di porta a doppio canale isolati API21552Q

Schema a blocchi funzionale

Schema a blocchi - Diodes Incorporated Driver di porta a doppio canale isolati API21552Q
Pubblicato: 2026-09-03 | Aggiornato: 2026-09-14