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Broadcom Foto MOSFET APML-600JV/JT

I foto MOSFET APML-600JV/JT di Broadcom sono foto MOSFET ad alta tensione progettati per applicazioni automobilistiche. Questi MOSFET  sono costituiti da uno stadio di ingresso del diodo a emissione di luce a infrarossi (LED) AlGaAs accoppiato otticamente a un circuito rilevatore di uscita ad alta tensione.  Questo rilevatore è costituito da una matrice di diodi fotovoltaici ad alta velocità e circuiti driver per attivare/disattivare due MOSFET ad alta tensione discreti.  Il foto MOSFET APML-600JV/JT si accende (i contatti chiudono) con una corrente di ingresso minima di 1,5 mA attraverso il LED di ingresso. Il foto MOSFET si spegne (si apre il contatto) con una tensione di ingresso di 0,4 V o inferiore. I MOSFET APML-600JV/JT presentano un interruttore di segnale bidirezionale a stato solido compatto e sono qualificati AEC-Q101. I MOSFET APML-600JV/JT forniscono isolamento rinforzato e affidabilità per fornire un isolamento sicuro del segnale in applicazioni industriali e automobilistiche ad alta temperatura. Idealmente, questi MOSFET sono utilizzati nei sistemi di gestione della batteria di misurazione/rilevamento delle perdite e di misurazione della resistenza di isolamento della batteria (BMS).

Caratteristiche

  • interruttore di segnale bidirezionale a stato solido compatto
  • Conformi alle qualifiche AEC-Q101
  • Intervallo di temperature per il settore automobilistico:
    • APML-600JV: TA = da -40 ºC a 105 ºC
    • APML-600JT: TA = da -40 ºC a 125 ºC
  • Tensione di rottura 1500 V VO(OFF) a IO(OFF) = 250 μA
  • MOSFET di classe Avalanche
  • Bassa corrente di dispersione in stato inattivo:
    • APML-600JV: IO(OFF) <500 nA @ VDS = 1000 V
    • APML-600JT: IO(OFF) <1000 nA @ VDS = 1000 V
  • Resistenza in conduzione: RON <900 Ω at IO = 1 mA
  • Turn-on time: TON <2,0 ms
  • Tempo di spegnimento: TOFF <0,5 ms
  • Package SO-16 300mil
  • Distanza e distanza di passo > 8 mm (ingresso-uscita)
  • Distanza di passo >5 mm (tra i pin di drain dei MOSFET)
  • Approvazioni di sicurezza e normative:
    • IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
    • Tensione di isolamento di lavoro massima 1,414 VPEAK
    • UL/cUL 1577, 5000 VRMS per 1 minuto

Applicazioni

  • Misurazione della resistenza di isolamento Batteria/rilevamento delle perdite
  • Sistemi di gestione della batteria (BMS)

Diagramma funzionale

Schema a blocchi - Broadcom Foto MOSFET APML-600JV/JT

Disegno profilo package

Disegno meccanico - Broadcom Foto MOSFET APML-600JV/JT
Pubblicato: 2024-03-12 | Aggiornato: 2024-03-25