Analog Devices Inc. Interruttore riflettente SPDT ad alta potenza in silicio ADRF5162
L'interruttore riflettente unipolare a doppio contatto (SPDT) al silicio ad alta potenza ADRF5162 di Analog Devices Inc. è un interruttore riflettente prodotto con il processo del silicio. ADRF5162 funziona da 0,4 GHz a 8 GHz con una perdita di inserzione tipica di 0,6 dB e un isolamento tipico di 45 dB. Il dispositivo offre una capacità di gestione della potenza in ingresso a radiofrequenza (RF) di 45,5 dBm di potenza media e di 50 dBm di picco per il percorso di perdita di inserzione.L'ADRF5162 di Analog Devices assorbe una bassa corrente di 130 μA sull’alimentazione positiva di +3,3 V e 500 μA sull’alimentazione negativa di -3,3 V. Il dispositivo impiega controlli compatibili coi semiconduttori complementari a ossido di metallo (CMOS) e la logica transistor-to-transistor a bassa tensione (LVTTL). L'ADRF5162 non richiede circuiti driver aggiuntivi, caratteristica che lo rende un’alternativa ideale agli interruttori basati su diodi GaN e PIN.
L'ADRF5162 è disponibile in un package LFCSP (Lead Frame Chip Scale Package) a 24 conduttori, 4,0 mm × 4,0 mm, conforme alla direttiva RoHS, e funziona da -40 °C a +105 °C.
Caratteristiche
- Intervallo di frequenze da 0,4 GHz a 8 GHz
- Bassa perdita di inserzione tipica di 0,6 dB a 4 GHz
- Isolamento tipico 45 dB elevato a 4 GHz
- Alta linearità di ingresso
- Compressione di potenza 0,1 dB (P0.1 dB): 50 dBm
- Intercettazione di terzo ordine (IP3) >76 dBm
- Tempo di ripristino RF di 1,2 μs/0,1 dB con PIN < 43="">
- Nessun segnale spurio a bassa frequenza
- Interfaccia compatibile con CMOS/LVTTL di controllo positivo
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -40 °C a +105 °C
- Gestione alta potenza a TTCASE = +85 °C
- Percorso di perdita di inserzione
- Media 45,5 dBm
- A impulsi 48,5 dBm (larghezza di impulso di >100 ns, ciclo utile 15%)
- Picco 50 dBm (durata di picco di ±100 ns, ciclo utile 5%)
- Hot-switching 43 dBm a RFC
- Percorso di perdita di inserzione
- Package LFCSP a 24 conduttori, 4,0 mm × 4,0 mm
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Radio militari, radar e contromisure elettroniche
- Infrastrutture cellulari
- Test e strumentazione
- Sostituzione di diodi GaN e PIN
Diagramma a blocchi funzionale
Pubblicato: 2024-08-30
| Aggiornato: 2025-01-28
