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Analog Devices Inc. Amplificatori di potenza GaN ADPA1116

Gli amplificatori di potenza Analog Devices ADPA1116 GaN dispongono di una potenza di uscita satura (POUT) di 39,5 dBm potenza aggiunta efficienza (PAE) di 40% e un guadagno di potenza di 23,5 dB tipico da 0,5 GHz a 5 GHz a una potenza di ingresso (PIN) di 16,0 dBm. L'ingresso e l'uscita RF sono abbinati internamente e accoppiati in corrente alternata. Una tensione di polarizzione drain di 28 V viene applicata ai pin V DD1 e al VDD2 che hanno integrato polarizzione induttori. La corrente di drain viene impostata utilizzando una tensione negativa sul pin VGG1. L'ADPA1116 è prodotto utilizzando un processo al nitruro di gallio (GaN) ed è disponibile in un package di dimensioni chip 32-lead. Gli amplificatori ADI ADPA1116 sono specificati per il funzionamento da -40 °C a +85 °C.

Caratteristiche

  • Amplificatore di potenza GaN con corrispondenza interna da 0,3 GHz a 6 GHz, 39,5 dBm
  • Ingresso RF e uscita RF accoppiati in CA
  • Induttori di polarizzione drain integrati
  • Tensione di alimentazione da 28 V
  • Corrente di riposo 300 mA
  • Potenza di uscita da 39,5 dBm tipica da 0,5 GHz a 5 GHz (PIN= 16,0 dBm)
  • Guadagno di potenza da 23,5 dB tipico da 0,5 GHz a 5 GHz (PIN = 16,0 dBm)
  • PAE del 40% tipico da 0,5 GHz a 5 GHz (PIN = 16.0 dBm)
  • Piccolo guadagno di segnale di 33,5 dB tipico da 0,5 GHz a 5 GHz

Applicazioni

  • Elettronica militare
  • Comunicazioni
  • Radar

Diagramma a blocchi funzionale

Schema a blocchi - Analog Devices Inc. Amplificatori di potenza GaN ADPA1116

SCHEMI DI INTERFACCIA

Schema - Analog Devices Inc. Amplificatori di potenza GaN ADPA1116
Pubblicato: 2025-01-21 | Aggiornato: 2025-02-24