Murata Power Solutions Convertitori CC-CC con gate drive 2 W isolati MGJ2

I convertitori CC-CC con gate drive 2 W isolati MGJ2 di Murata Power Solutions sono ideali per l’alimentazione dei circuiti gate drive lato alto e basso per dispositivi IGBT/SIC e MOSFET in circuiti a   ponte. Una varietà di tensioni di uscita asimmetriche fornisce livelli di pilotaggio ottimali per un’efficienza di sistema ideale. Tutte e tre le serie MGJ2 sono caratterizzate da elevati requisiti di isolamento   generalmente osservati nei circuiti a ponte   utilizzati in inverter e driver per motori. La struttura e la temperatura nominale di livello industriale   MGJ2 garantiscono affidabilità e lunga durata. I convertitori CC-CC con gate drive 2 W isolati MGJ2 di Murata Power Solutions sono disponibili in package a montaggio superficiale o SIP.

Caratteristiche

  • Serie SIP MGJ2
    • Tensioni di uscita bipolari ottimizzate per driver di porta IGBT e MOSFET
    • Tipo integrato SIP
    • Isolamento rinforzato con riconoscimento UL 60950
    • Riconoscimento ANSI/AAMI ES60601-1, 1 MOOP MOPP/2
    • Test HiPot tensione di isolamento 5,2 kVCC
    • Capacità di accoppiamento ultra bassa
    • Ingressi 5 V, 12 V, 15 V e 24 V
    • +15 V/-3 V, +15 V/-5 V, +15 V/-8,7 V, +15 V/-15 V, +17 V/-9 V, +18 V/-2,5 V, +20 V/-3,5 V e +20 V/-5 V
    • Funzionamento fino a +100 °C
    • Tensione di resistenza alla barriera continua 2,4 kVCC
  • Serie SIP MGJ2B
    • Tensioni di uscita bipolari ottimizzate per i gate drive IGBT/SIC e MOSFET
    • Tipo integrato SIP
    • Isolamento rinforzato con riconoscimento UL 62368-1
    • ANSI/AAMI ES60601-1, 1 MOPP/2MOOP in attesa di riconoscimento
    • Test HiPot tensione di isolamento 5,4 kVCC
    • Capacità di isolamento ultra bassa
    • Ingressi 5 V, 12 V, 15 V e 24 V
    • +15 V/-3 V, +15 V/-5 V, +15 V/-8,7 V, +15 V/-15 V, +17 V/-9 V, +18 V/-2,5 V, +18 V/-5 V3, +20 V/-3,5 V e +20 V/-5 V
    • Funzionamento fino a +105 °C
    • Tensione di resistenza alla barriera continua 2,4 kVCC
  • Serie SMT MGJ2
    • Tensioni di uscita bipolari ottimizzate per i gate drive IGBT/SIC e MOSFET
    • Package a montaggio superficiale
    • Protetti da brevetto
    • Isolamento rinforzato a UL 62368, in attesa di riconoscimento
    • ANSI/AAMI ES60601-1, in attesa di riconoscimento
    • Test HiPot tensione di isolamento 5,7 kVCC
    • Capacità di isolamento ultra bassa
    • Ingressi 5 V, 12 V e 15 V
    • Uscite +15 V/-9 V, +15 V/-5 V e +20 V/-5 V
    • Funzionamento fino a +100 °C (con depotenziamento)
    • Protezione da cortocircuito
    • Tensione di resistenza alla barriera continua 2,5 kV
  • Tutte le serie
    • CMTI caratterizzato >200 kV/μS
    • Prestazioni di scarica parziale tipiche

Applicazioni

  • Apparecchiature industriali
    • Controllo azionamento motore/movimento
    • Gruppi statici di continuità (UPS)
    • Inverter (solari, eolici, ecc.)
    • Alimentatori CA-CC ad alta potenza
    • EV/HEV
    • Apparecchiatura di saldatura ad arco elettrico
    • Macchine CNC (fresatura, trapanatura, ecc.)
    • Robotica
    • Industriali ad alta potenza (riscaldatori a induzione)
  • Strumentazioni mediche
    • Imaging (raggi X, CT, RM)
    • Ecografia.
    • Defibrillatori
Pubblicato: 2014-05-05 | Aggiornato: 2023-09-01