Micron SSD XTR NVMe™

Le SSD XTR NVMe ™ di Micron  sono progettate per garantire una durata estrema e consentire il caching affidabile richiesto dai carichi di lavoro ad alta intensità di scrittura. Questi dispositivi sono  appositamente realizzati per i data center che cercano un sostituto economico delle SSD di classe di archiviazione (SCM) più costosi per la registrazione e la lettura/cache di scrittura in ambienti di archiviazione su più livelli. La combinazione di NAND Micron e tecnologia firmware altamente ottimizzata consente a queste SSD di fornire 35 scritture ad azionamento casuale al giorno (RDWPD) e 60 scritture a pilotaggio sequenziale al giorno (SDWPD). Questi dispositivi garantiscono un’eccezionale convenienza fornendo il 20% di maggiore capacità utilizzabile per unità, consumando fino a 44% di potenza attiva in meno per contribuire a ridurre i costi operativi. Le SSD XTR presentano un design integrato verticalmente comprovato nel settore che offre una durata e prestazioni nel mondo reali comparabili a quelle delle SSD Optane di Intel, con una maggioreaffidabilità dell’alimentazione. Questi dispositivi sono ideali per livelli di memorizzazione nella cache, buffering, logging, journaling, OLTP e altri carichi di lavoro ad alta intensità di scrittura.

Caratteristiche

  • Caching affidabile per i carichi di lavoro a più alta intensità di scrittura:
    • Fino a 60 SDWPD (durata di scrittura sequenziale di 128 KB al 100%)
    • Fino a 35 RDWPD (resistenza di scrittura casuale 100% 4 KB)
    • Durata 10 volte superiore rispetto a SSD basati su TLC
    • Fino a 35% di resistenza SSD OptaneTM di Intel a 20% del costo
  • Architettura di archiviazione integrata verticalmente comprovata e sicurezza leader del settore:
    • Architettura Micron Gen4 NVMe™ di terza generazione per una certificazione semplice e veloce
    • SKU conformi a TAA con certificazione FIPS 140-3 L2 a livello ASIC per contribuire a massimizzare la sicurezza
  • accelerazione del carico di lavoro simile a quella dell’SSD OptaneTM Intel:
    • Prestazioni quasi identiche per i carichi di lavoro di analisi Microsoft® SQL Server®:
      • SSD XTR di Micron XTR + SSD ION 6500 di Micron = tempo di esecuzione di query standard di 74 minuti
      • SSD Optane di Intel + SSD ION 6500 di Micron = tempo di esecuzione di query standard di 73 minuti
      • Delta = 1 minuto (~1,3%)
    • 44% di consumo energetico attivo in meno
    • 20% di capacità utile superiore in più

Specifiche

  • Micron® 3D TLC NAND Flash
  • PCI Express Gen4:
    • Porta U.3 singola (x4) retrocompatibile con U.2
  • NVM Express:
    • 132 nomi supportati
    • Rotondo ponderato con arbitrato urgente supportato
  • Capacità (non formattata):
    • U.3: 960 GB e 1.920 GB
  • Durata: (byte totali scritti (TBW))
    • Fino a 210.000 TB a 60 DWPD sequenziale
    • Fino a 125.000 TB a 35 DWPD casuali
  • Le dimensioni del settore aziendale supportano le dimensioni del settore da 512 e 4096 byte (configurabili)
  • Sicurezza:
    • FirmWare con firma digitale
    • Certificazione FIPS 140-3 L.2
    • SKU conformi a TAA
    • SKU unità con crittografia automatica (SED)
    • Specifica SPDM 1.1
    • Ambiente di sicurezza isolato
    • Suite di sicurezza aziendale di Micron
    • Root of trust e chain of trust per l'hardware
    • Motore di composizione identificatore dispositivo (DICE) TCG
    • Secure hash SHA-512 (supporta anche SHA-384 e SHA-256)
    • Schema di firma e dimensioni chiave RSA 3K/4K
  • Latenza:
    • LETTURA: 60 µs (tipica)
    • SCRITTURA 15 µs (tipica)
  • Inserimento a sorpresa/Rimozione a sorpresa (SISR) e capacità hot plug
  • Tecnologia di auto-monitoraggio, analisi e reportistica (SMART)
  • FirmWare aggiornabile sul campo con supporto per l’attivazione senza ripristino
  • Prestazioni:
    • LETTURA 128 KB sequenziale: fino a 6.800 MB/s
    • SCRITTURA 128 KB sequenziale: fino a 5.600 MB/s
    • LETTURA 4 KB casuale: fino a 900.000 IOPS
    • Scrittura 4 KB casuale: fino a 350.000 IOPS
  • Affidabilità:
    • MTTF: 2,0 M ore a 0-55 °C e 2,5 M ore a 0-50 °C
    • Livellamento statico e dinamico dell’usura
    • Tasso di errore bit non correggibile (AM): < 1 settore per 1017 bit di lettura
    • Protezione dati end-to-end conforme a OCP 1.0a
    • Protezione da perdite di potenza aziendali
  • temperatura di funzionamento da 0 °C a 70 °C (commerciale)
  • fattore di forma U.3 con dimensioni 100,45 mm x 70,10 mm x 15 mm
  • Specifica elettrica:
    • Alimentazione U3: 12 V ±10%
    • Alimentazione AUX U3: 3,3 V ±5%

Applicazioni

  • Ideale per livelli di caching, buffering, registrazione, file di registro, OLTP e altri carichi di lavoro ad alta intensità di scrittura
  • Data centre

Disegno meccanico

Disegno meccanico - Micron SSD XTR NVMe™
Pubblicato: 2024-02-06 | Aggiornato: 2024-03-05