.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Ultime novità per Semiconduttori discreti

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipi di Semiconduttori discreti

Elenco Immagini

Filtri applicati:

Produttore = Valori multipli Torna alla scheda Prodotti per modificare i filtri correnti.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

STMicroelectronics Invertitore trifase STGI15C60S e IGBT SLLIMM

08/19/2026

- Questo dispositivo è ideale per gli azionamenti dei motori che operano fino a 20 kHz in circuiti a commutazione rigida.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Offre perdite di conduzione estremamente basse, elevata capacità di corrente e funzionamento a commutazione ultra-veloce.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il applicazioni per il settore automobilistico.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e alta potenza.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

10/28/2025

- Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.

STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2P45M12W2-1LA

09/26/2025

- Offre una topologia a sei pacchetti con NTC per lo stadio del convertitore CC/CC del caricatore a bordo dei veicoli elettrici.

STMicroelectronics Modulo di potenza automotive M2TP80M12W2-2LA

09/26/2025

- Dispone di una topologia trifase PFC 4-wire con NTC integrato per l'OBC in veicoli elettrici e ibridi.

STMicroelectronics IGBT serie IH2 1600V STGWA30IH160DF2

05/22/2025

- Creato implementando un'avanzata struttura proprietaria trench gate field-stop.

STMicroelectronics Protezioni ESD unidirezionali automotive ESDAxWY

01/10/2025

- TVS progettati per proteggere componenti elettronici sensibili in ambienti ostili.

STMicroelectronics Tiristore SCR ad alta temperatura TN8050H-12WL

01/01/2025

- Adatto per applicazioni industriali che richiedono un'elevata immunità con corrente di gate inferiore.

STMicroelectronics IGBT ACEPACK SMIT STGSH50M120D con diodo

12/24/2024

- Combina due IGBT e diodi in una topologia a mezzo ponte.

STMicroelectronics Diodo TVS a linea singola bidirezionale ESDZX168B-1BF4

10/14/2024

- Il dispositivo è progettato per proteggere le linee di dati o altre porte I/O dai transitori ESD.

STMicroelectronics Modulo a ponte ultrarapido 600 V STTH120RQ06-M2Y

10/08/2024

- Adatto per l'uso in applicazioni di ricarica, integrate nel veicolo o in una stazione di ricarica.

STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGHU30M65DF2AG

09/12/2024

- Sviluppato utilizzando un’avanzata struttura trench-gate field stop.

STMicroelectronics IGBT di grado automobilistico STGWA30M65DF2AG

09/12/2024

- Progettato utilizzando una struttura trench-gate field stop proprietaria avanzata.

STMicroelectronics Protezione ESD unidirezionale per il settore automobilistico ESDA5WY

09/10/2024

- Soppressore di transitori di tensione (TVS) unidirezionale per il settore automobilistico sviluppato per ambienti difficili.

STMicroelectronics Raddrizzatore ad alta tensione per il settore automobilistico STBR3012L2Y-TR

08/09/2024

- Design di alta qualità con caratteristiche costantemente riproducibili e robustezza intrinseca.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N MDmesh K6

07/22/2024

- 800 V, protetto da Zener, testato al 100% contro le valanghe e ideale per convertitori flyback e illuminazione a LED.

STMicroelectronics IGBT serie MS di grado automobilistico GWA40MS120DF4AG

07/03/2024

- 1.200 V, 40 A, bassa perdita, offre bassa resistenza termica ed è disponibile in un package con cavi lunghi TO-247.

STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

12/01/2023

- I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET F8 a canale N sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione di package completa da 30 V a 150 V.

STMicroelectronics IGBT STGD4H60DF ad alta velocità serie H 600 V 4 A

10/31/2023

- Progettato con un’avanzata struttura trench-gate field-stop.

Visualizzazione: 1 - 25 di 36

Filtra per:

Texas Instruments Diodi ESD bidirezionali ESD551/ESD551-Q1

10/27/2026

- Diodi ESD bidirezionali a canale singolo per linee di alimentazione, linee dati e porte I/O.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N RS4P063BPHZG con ampia SOA

10/23/2026

- Presenta un'area di funzionamento sicura ampliata che aiuta a sopprimere il guasto secondario.

ROHM Semiconductor Soppressori di tensioni transitorie ESDxxVFM

10/23/2026

- Sono dispositivi altamente affidabili in piccoli contenitori con una struttura epitassiale planare al silicio.

ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop automotive RGA50TxX2EHR

10/22/2026

- Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e di conduzione.

ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop automotive RGA50TxX2HR

10/22/2026

- Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e di conduzione.

Diodes Incorporated Transistor a effetto campo DMN2005K N-Ch E-Mode

10/19/2026

- Presenta una bassa resistenza "on", una tensione di soglia del gate molto bassa e prestazioni di commutazione rapide.

Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10/14/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10/06/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09/22/2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09/22/2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021

09/14/2026

- Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.

Visualizzazione: 1 - 25 di 1047

Ultime novità per Semiconduttori discreti

Tipi di Semiconduttori discreti

Filtri applicati:

Filtra per:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza