ESS Technology Ultime novità per Semiconduttori

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ESS Technology Regolatore doppio a rumore ultra basso ES9312Q SABRE®
ESS Technology Regolatore doppio a rumore ultra basso ES9312Q SABRE®
02/21/2024
Second-generation regulator to supply the reference voltage to maximize DAC and ADC performance.
ESS Technology CODEC stereo a 2 canali a 32 bit Sabre® ES9290Q
ESS Technology CODEC stereo a 2 canali a 32 bit Sabre® ES9290Q
01/23/2024
Synchronous stereo Analog-to-Digital (A/D) and Digital-to-Analog for professional audio interfaces.
ESS Technology ES9039Q2M 2-Channel Digital-to-Analog Converters
ESS Technology ES9039Q2M 2-Channel Digital-to-Analog Converters
05/25/2023
High-performance 32-bit, 2-channel audio D/A converters.
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NXP Semiconductors NAFE33352-UIOM AIO AFE Arduino® Shield Eval Board
NXP Semiconductors NAFE33352-UIOM AIO AFE Arduino® Shield Eval Board
09/03/2026
Designed for the NAFE33352 industrial-grade universal analog input and output front-end (AFE).
Infineon Technologies 65W USB-C™ Power Delivery Reference Designs
Infineon Technologies 65W USB-C™ Power Delivery Reference Designs
09/03/2026
These reference designs were developed for a USB-PD charger or a notebook USB-PD adapter.
IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali
IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC
IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
Espressif Systems ESP32-P4 System-on-Chip (SoC)
Espressif Systems ESP32-P4 System-on-Chip (SoC)
09/01/2026
High-performance RISC-V SoC with integrated media processing, HMI, and security capabilities.
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules
09/01/2026
Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.
NXP Semiconductors PMIC per la sicurezza industriale VR249
NXP Semiconductors PMIC per la sicurezza industriale VR249
09/01/2026
PMIC per la sicurezza industriale ad alto voltaggio con supporto SIL 2 per MCU a bassa potenza.
NXP Semiconductors Scheda di valutazione KITVR249AEEVM
NXP Semiconductors Scheda di valutazione KITVR249AEEVM
09/01/2026
Kit di valutazione saldato per la configurazione, il collaudo e la programmazione dei PMIC VR249 per la sicurezza industriale.
Texas Instruments Kit di base con processore SK-TDA4VM per sistemi di visione con IA di bordo
Texas Instruments Kit di base con processore SK-TDA4VM per sistemi di visione con IA di bordo
09/01/2026
Progettato per dare vita a robot, telecamere intelligenti e macchine intelligenti, offre una procedura di configurazione rapida.
NXP Semiconductors Scheda di valutazione KITVR249SKTEVM
NXP Semiconductors Scheda di valutazione KITVR249SKTEVM
09/01/2026
Kit di valutazione con dispositivo intercambiabile per la configurazione, il collaudo e la programmazione dei PMIC VR249 per la sicurezza industriale.
Infineon Technologies Schede di valutazione per interruttori intelligenti high-side PROFET™
Infineon Technologies Schede di valutazione per interruttori intelligenti high-side PROFET™
08/31/2026
Queste schede sono progettate per la valutazione degli interruttori intelligenti high-side PROFET™.
Infineon Technologies Sensori di posizione magnetici XENSIV TLE49901/TLI49901
Infineon Technologies Sensori di posizione magnetici XENSIV TLE49901/TLI49901
08/27/2026
Sensori Hall analogici raziometrici lineari per la misurazione di spostamento, linea e angolo.
IXYS SCR sensibili SK002xSx
IXYS SCR sensibili SK002xSx
08/27/2026
SCR sensibili con supporto di azionamento a microprocessore e elevata immunità al rumore.
STMicroelectronics Driver per tiristore isolato STEVAL-SID140V1
STMicroelectronics Driver per tiristore isolato STEVAL-SID140V1
08/26/2026
Scheda driver per tiristore isolato per valutazione di relè a stato solido CA.
STMicroelectronics Scheda di valutazione STEVAL-0608Y1V8
STMicroelectronics Scheda di valutazione STEVAL-0608Y1V8
08/26/2026
Scheda di valutazione per conversione CC/CC step-down per il settore automobilistico da 1,8 V/ 8 A.
STMicroelectronics Discovery kit STM32H5F5J-DK
STMicroelectronics Discovery kit STM32H5F5J-DK
08/26/2026
Discovery Kit per lo sviluppo di MCU STM32H5F5LJ con LCD, ethernet e STLINK-V3EC.
NXP Semiconductors PMIC di sicurezza ad alta tensione FS04
NXP Semiconductors PMIC di sicurezza ad alta tensione FS04
08/25/2026
PMIC automotive a uscite multiple con supporto alla sicurezza ASIL B/D per sistemi S32N.
Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board
Espressif Systems ESP32-S31-Korvo-1 Development Board
08/25/2026
Multimedia development board for smart audio and HMI applications.
Kingston M.2 2280 QLC PCIe NVMe Solid State Drives (SSDs)
Kingston M.2 2280 QLC PCIe NVMe Solid State Drives (SSDs)
08/25/2026
These devices are high-performance storage solutions built on the PCIe Gen 4x4 NVMe 1.4 interface.
Apex Microtechnology PA168 High Voltage Power Operational Amplifiers
Apex Microtechnology PA168 High Voltage Power Operational Amplifiers
08/25/2026
Feature a monolithic amplifier core designed for high-density power applications.
Apex Microtechnology PA169 Dual High Voltage Operational Amplifiers
Apex Microtechnology PA169 Dual High Voltage Operational Amplifiers
08/25/2026
Houses two independent 200V, 4A peak operational amplifier (PA167) circuits.
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2
08/25/2026
Moduli MOSFET EliteSiC a ponte completo con resistenza di conduzione di 11 mΩ e tensione nominale di 1.200 V.
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