Ultime novità per Transistor

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipi di Transistor

Elenco Immagini

Filtri applicati:

Produttore = Diodes Incorporated Torna alla scheda Prodotti per modificare i filtri correnti.

Diodes Incorporated Transistori a effetto campo 2N7002 a canale N in modalità E

10/31/2025

- Offre prestazioni di commutazione rapide con bassa carica di gate e tensione drain-source massima di 60 V.

Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Integra due MOSFET in un unico contenitore PowerDI® da 5 mm x 6 mm con eccellenti prestazioni termiche.

Diodes Incorporated MOSFET a canale N in modalità di potenziamento DMN1057UCA3

10/21/2025

- Presenta prestazioni di commutazione superiori, ideale per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Diodes Incorporated Transistori bipolari PNP DXTP80x

09/18/2025

- I transistori bipolari PNP offrono un fattore di forma piccolo, con un package PowerDI 3333-8 termicamente efficiente.

Diodes Incorporated Transistori bipolari NPN DXTN80x

09/17/2025

- Offrono un package PowerDI 3333-8 di fattore di forma piccolo ed efficiente dal punto di vista termico, per prodotti ad alta densità.

Diodes Incorporated Transistori bipolari DXTN/P 78Q & 80Q

07/24/2025

- Offrono una tensione nominale di 30 V, 60 V e 100 V, con un'efficienza di conduzione eccezionale e prestazioni termiche elevate.

Diodes Incorporated Transistori DXTN69060C a 60 V NPN a VCE(SAT) ultra basso

11/14/2024

- Dispone di una struttura proprietaria per ottenere prestazioni VCE(SAT) ultra-basse.

Diodes Incorporated MOSFET DMT31M8LFVWQ da 30 V in modalità di miglioramento N-Ch

10/01/2024

- Offre una bassa resistenza in un package di piccole dimensioni termicamente efficiente.

Diodes Incorporated DMN2992UFA 20 V MOSFET in modalità di miglioramento N-Ch

08/01/2024

- MOSFET da 20 V a canale N progettato per ridurre al minimo il RDS(ON), disponibile in un package X2-DFN0806-3.

Diodes Incorporated MOSFET di potenza a canale N DMWSH120Hx 1.200 V

06/24/2024

- Progettato per minimizzare la resistenza in stato attivo e mantenere eccellenti prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30 V MOSFET in modalità di miglioramento P-Ch

05/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e tensione di soglia del gate, mantenendo al contempo le prestazioni di commutazione.

Diodes Incorporated Transistor di potenza BC53-16PAWQ 80 V PNP di potenza media

05/01/2024

- Disponibile in un package compatto DFN2020-3 il cui ingombro è inferiore del 50% rispetto a un package SOT-23.

Diodes Incorporated MOSFET dual asimmetrici a canale N DMT26M0LDG

04/01/2024

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) pur mantenendo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated DMP68D1LV MOSFET a modalità di miglioramento a doppio canale P

01/01/2024

- Offrono bassa resistenza di conduzione e capacità di ingresso, mantenendo al contempo prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated MOSFET di potenza SiC a Canale-N DMWS120H100SM4 1200 V

06/02/2023

- Progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e mantenere prestazioni di commutazione superiori.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH46M7SFVWQ

03/30/2023

- MOSFET qualificato AEC-Q101 con bassa RDS (ON) che garantisce perdite minime allo stato di accensione.

Diodes Incorporated Transistor di media potenza per il settore automobilistico MJD

03/21/2023

- I dispositivi sono qualificati AEC-Q101, con capacità PPAP e prodotti in stabilimenti certificati IATF16949.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UV

03/06/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN3732UFB4

01/24/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH15H017LPSWQ

01/18/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMTH41M2SPSQ

01/17/2023

- MOSFET qualificati AEC-Q101 con bassa RDS(ON) che garantisce perdite di stato di on minime.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0LT

01/04/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccellenti.

Diodes Incorporated MOSFET ad arricchimento a canale N DMN52D0UVA

01/04/2023

- Progettati per ridurre al minimo RDS(ON) e mantenere prestazioni di commutazione eccezionali.

Diodes Incorporated Transistor a valanga a bassa tensione FMMT411FDBWQ

11/23/2022

- Un transistor bipolare planare al silicio progettato per funzionare in modalità valanga.

Visualizzazione: 1 - 24 di 24

Filtra per:

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07/21/2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06/19/2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05/27/2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05/18/2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™

05/06/2026

- I moduli di potenza sono progettati per alte prestazioni nelle applicazioni xEV.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04/10/2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04/07/2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Vishay Modulo MOSFET di potenza VS-HOT200C080 200 A 80 V

04/02/2026

- Questo dispositivo riduce i requisiti di spazio sulla scheda fino al 15% rispetto alle soluzioni discrete standard.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideali per commutazione ad alta velocità, interruttori di gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver per motori.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03/27/2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03/27/2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03/24/2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Renesas Electronics Interruttore bidirezionale (BDS) TP65B110HRU

03/20/2026

- BDS in nitruro di gallio (GaN) da 650 V e 110 mΩ normalmente disattivato in un compatto package TOLT.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03/17/2026

- Si tratta di MOSFET a canale N di livello normale da 80 V o 100 V con resistenza di accensione molto bassa [RDS(ON)].

ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

03/17/2026

- Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.

Infineon Technologies Interruttori bidirezionali CoolGaN™ a media tensione

03/17/2026

- Questi dispositivi sono ideali come interruttori di disconnessione della batteria in varie applicazioni.

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03/13/2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Visualizzazione: 1 - 25 di 567

Tipi di Transistor

Filtra per:

Ufficio Servizio Clienti

Azienda

Risorse

Assistenza