Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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PANJIT PEC32 ESD Protection/TVS Diodes

07/30/2025

- Protect sensitive electronics from electrostatic discharge, surge events, & other transient threats.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04/21/2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT SBA Automotive Super Schottky Rectifiers

04/09/2025

- Offer 0.45V to 0.53V surface mount extreme low forward voltage drop with a 1A to 2A current rating.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02/17/2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT MBR10H TO-277C Schottky Barrier Rectifiers

11/28/2024

- Surface mount (SMD) H-type Schottky devices with ultra-low insulation resistance (IR).

PANJIT PE47xxL1Q High Surge ESD Protection

11/28/2024

- Enhances component capability and resists EOS events in a DFN1610-2L package.

PANJIT Gen.2 ESD Protection Diodes

09/13/2024

- Smart ESD protection diodes for high-speed data lines.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09/04/2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09/03/2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08/29/2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT KBJB Low Profile Bridge Rectifiers

08/29/2024

- Devices feature a maximum junction temperature (Tj) of 150℃ with a current rating of 10A or 15A.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08/29/2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT MBRxH60AFC-AU Schottky Barrier Rectifiers

06/18/2024

- Offer high efficiency and feature high surge current capability.

PANJIT PGRx16PT General-Purpose Rectifiers

06/17/2024

- Designed with inrush current and high voltage capability in the TO-247AD-2LM package.

PANJIT MSR2DAFC Hyper-Fast Recovery Rectifier

06/17/2024

- Designed with Trr under 20ns for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PE1403M1Q ESD Protection Diode

05/23/2024

- Features low leakage current, ultra-low capacitance, and low clamping voltage.

PANJIT MSRxDAL Hyper Fast Recovery Rectifiers

05/23/2024

- Feature fast recovery time (Trr) for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

04/12/2024

- Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.

PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor

04/11/2024

- AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.

PANJIT PZS52CxM1Q Silicon Zener Diodes

04/11/2024

- Features a planar die construction and are ideal for automated assembly processes.

PANJIT PJMBZ ESD Protection Diodes

02/19/2024

- Designed to protect sensitive equipment against ESD and prevent latch-up events.

PANJIT S5xB Surface Mount General-Purpose Rectifiers

01/19/2024

- Converts an alternating current (AC) voltage into a direct current (DC) voltage.

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Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10/19/2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10/14/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10/06/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09/22/2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09/22/2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021

09/14/2026

- Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09/09/2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

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