Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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PANJIT PEC32 ESD Protection/TVS Diodes

07/30/2025

- Protect sensitive electronics from electrostatic discharge, surge events, & other transient threats.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06/09/2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04/21/2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT SBA Automotive Super Schottky Rectifiers

04/09/2025

- Offer 0.45V to 0.53V surface mount extreme low forward voltage drop with a 1A to 2A current rating.

PANJIT 80V & 100V Shield Gate Trench N-Channel MOSFETs

02/17/2025

- Shield gate trench (SGT) MOSFETs featuring a low RDS(ON) and a high switching speed.

PANJIT PE47xxL1Q High Surge ESD Protection

11/28/2024

- Enhances component capability and resists EOS events in a DFN1610-2L package.

PANJIT MBR10H TO-277C Schottky Barrier Rectifiers

11/28/2024

- Surface mount (SMD) H-type Schottky devices with ultra-low insulation resistance (IR).

PANJIT Gen.2 ESD Protection Diodes

09/13/2024

- Smart ESD protection diodes for high-speed data lines.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09/04/2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09/03/2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT KBJB Low Profile Bridge Rectifiers

08/29/2024

- Devices feature a maximum junction temperature (Tj) of 150℃ with a current rating of 10A or 15A.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08/29/2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08/29/2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06/20/2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT MBRxH60AFC-AU Schottky Barrier Rectifiers

06/18/2024

- Offer high efficiency and feature high surge current capability.

PANJIT MSR2DAFC Hyper-Fast Recovery Rectifier

06/17/2024

- Designed with Trr under 20ns for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PGRx16PT General-Purpose Rectifiers

06/17/2024

- Designed with inrush current and high voltage capability in the TO-247AD-2LM package.

PANJIT MSRxDAL Hyper Fast Recovery Rectifiers

05/23/2024

- Feature fast recovery time (Trr) for efficient rectification in electronic applications.

PANJIT PE1403M1Q ESD Protection Diode

05/23/2024

- Features low leakage current, ultra-low capacitance, and low clamping voltage.

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

04/12/2024

- Offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.

PANJIT PZS52CxM1Q Silicon Zener Diodes

04/11/2024

- Features a planar die construction and are ideal for automated assembly processes.

PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor

04/11/2024

- AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.

PANJIT PJMBZ ESD Protection Diodes

02/19/2024

- Designed to protect sensitive equipment against ESD and prevent latch-up events.

PANJIT S5xB Surface Mount General-Purpose Rectifiers

01/19/2024

- Converts an alternating current (AC) voltage into a direct current (DC) voltage.

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Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes

08/04/2026

- Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07/21/2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07/20/2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07/20/2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Bourns Diodi TVS a montaggio superficiale CDDFN2

07/07/2026

- Protezione da ESD, EFT e sovratensione per le porte esterne dei dispositivi elettronici, limitando i danni critici.

Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- Diodo TVS 1-line da 28 V a bassissima capacità elettrica, protegge le linee di segnale ad alta velocità da scarica di elettricità statica (ESD) e sovraccarico elettrico (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodi TVS di grado automobilistico CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodi TVS bidirezionali per il settore automobilistico in un package SOD-323 compatto.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA

06/26/2026

- Matrici di diodi TVS per ESD, EFT e protezione da sovratensione attraverso le interfacce dati e di alimentazione.

Bourns Diodi TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06/25/2026

- Offrono una selezione di opzioni di tensione da 3 V a 36 V in configurazione bidirezionale.

Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositivo a bassa capacità progettato specificamente per proteggere le linee differenziali ad alta velocità.

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06/19/2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05/27/2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05/18/2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

Bourns Diodo TVS a montaggio superficiale CDSOT23-SM712-Q

05/12/2026

- Fornisce protezione per le porte dati in conformità con le norme IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 e IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™

05/06/2026

- I moduli di potenza sono progettati per alte prestazioni nelle applicazioni xEV.

Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP5.0SMD-FL

05/04/2026

- Capacità di potenza di picco del Pulse di 5000 W che utilizza una forma d'onda da 10/1000µs e dissipazione di potenza di 6,5 W.

Littelfuse Diodi TVS AK-FL

05/04/2026

- Diodi TVS bidirezionali piatti e a bassa tensione con impiombatura assiale, FlatSuppressX™.

Littelfuse Diodi TVS FlatSuppressX™ TP1KSMB-FL

05/04/2026

- Progettati specificamente per proteggere le apparecchiature elettroniche sensibili dai transienti di tensione.

Littelfuse Triac alternistore ad alta temperatura QVx35xHx

04/24/2026

- Offre una corrente nominale 35 A ed è disponibile nei pacchetti TO-220AB TO-220 isolati e TO-263.

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