Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

Elenco Immagini

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IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09/22/2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS SCR sensibili SK002xSx

08/27/2026

- SCR sensibili con supporto di azionamento a microprocessore e elevata immunità al rumore.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07/20/2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07/20/2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02/02/2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DP

01/20/2026

- Diodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.

IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-Class

10/08/2025

- Ceramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.

IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2Kx

09/19/2025

- Questi dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].

IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 V

08/27/2025

- Fino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.

IXYS Raddrizzatori per il settore automobilistico in silicio serie Dx

04/14/2025

- Features glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.

IXYS Diodi SCHOTTKY SiC DCK

04/03/2025

- Presentano un funzionamento ad alta frequenza e un'elevata capacità di corrente di sovraccarico.

IXYS Modulo a diodo tiristore MCMA140PD1800TB

03/25/2025

- 140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.

IXYS MOSFET di potenza IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET sic IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- MOSFET a singolo interruttore con dispositivo di grado industriale da 1.200 V, 30 mΩ, 79 A in package TO263-7L.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET di potenza IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET di potenza IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- MOSFET da 1.200 V, 30 mΩ e 79 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- MOSFET da 1.200 V, 80 mΩ e 41 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrono una tensione nominale di 200 V, un intervallo di corrente da 340 A a 500 A e un package SOT-227B.

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Filtra per:

Nexperia GANC050 50mΩ 650V GaN FETs

11/12/2026

- Combines GaN HEMT technology with a low-voltage silicon MOSFET in a cascode configuration.

STMicroelectronics TN4035HA-8GY Automotive Grade SCR Thyristor

11/09/2026

- High-performance switching device designed for automotive power and protection applications.

Infineon Technologies IPM CIPOS™ CoolSiC™ MOSFET per il settore automobilistico

11/05/2026

- Integrare vari componenti di alimentazione e controllo, ottimizzare dimensioni di scheda a circuito stampato e i costi di sistema.

Texas Instruments Diodi ESD bidirezionali ESD551/ESD551-Q1

10/27/2026

- Diodi ESD bidirezionali a canale singolo per linee di alimentazione, linee dati e porte I/O.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale N RS4P063BPHZG con ampia SOA

10/23/2026

- Presenta un'area di funzionamento sicura ampliata che aiuta a sopprimere il guasto secondario.

ROHM Semiconductor Soppressori di tensioni transitorie ESDxxVFM

10/23/2026

- Sono dispositivi altamente affidabili in piccoli contenitori con una struttura epitassiale planare al silicio.

ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop automotive RGA50TxX2HR

10/22/2026

- Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e di conduzione.

ROHM Semiconductor IGBT Trench Field Stop automotive RGA50TxX2EHR

10/22/2026

- Questi dispositivi presentano basse perdite di commutazione e di conduzione.

Diodes Incorporated Transistor a effetto campo DMN2005K N-Ch E-Mode

10/19/2026

- Presenta una bassa resistenza "on", una tensione di soglia del gate molto bassa e prestazioni di commutazione rapide.

Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10/14/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10/06/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09/22/2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09/22/2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.