Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Wolfspeed Moduli di potenza a singolo interruttore TM

10/01/2025

- I dispositivi sono moduli di potenza a singolo interruttore qualificati per l'industria automobilistica con un ingombro conforme agli standard del settore.

Wolfspeed Moduli di potenza in carburo di silicio YM Six-Pack

05/14/2025

- Moduli qualificati per il settore automobilistico progettati per garantire una perfetta integrazione nel design e una lunga durata.

Wolfspeed MOSFET in carburo di silicio da 1.700 V

04/17/2025

- Offre una maggiore commutazione, efficienza di sistema e densità di potenza per la conversione di potenza di nuova generazione.

Wolfspeed Moduli di potenza in carburo di silicio da 2.300 V

10/08/2024

- Questi dispositivi sono moduli di potenza in carburo di silicio senza piastra di base da 2.300 V per applicazioni V-bus 1.500 V.

Wolfspeed Moduli a mezzo ponte SiC per ambienti difficili

07/25/2024

- Moduli a mezzo ponte SiC per ambienti difficili in un package da 62 mm standard del settore.

Wolfspeed MOSFET di potenza SiC 1.200 V a basso profilo TO-247-4

07/03/2024

- Offrono alta efficienza di sistema, riducono le perdite di commutazione e riducono al minimo il gate ringing.

Wolfspeed Modulo a mezzo ponte DM SiC

06/25/2024

- Offre una capacità di corrente elevata in un fattore di forma con peso e volume ridotti.

Wolfspeed MOSFET discreti al carburo di silicio da 750 V

05/27/2024

- Consente un’alta densità di potenza del sistema con un design a basso profilo in integrati standard del settore.

Wolfspeed Diodi Schottky SiC da 1700 V

01/04/2023

- Offrono i vantaggi delle prestazioni per soddisfare gli standard di efficienza più elevati.

Wolfspeed MOSFET SiC C3M™ in Package TOLL

10/18/2022

- Offre una dipendenza dalla temperatura della resistenza in stato attivo molto più bassa rispetto ai MOSFET al silicio standard.

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onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021

09/14/2026

- Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09/09/2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

Microchip Technology Moduli di potenza HV-D3 mSiC®

09/01/2026

- Semplifica e accelera l'adozione di trasformatori allo stato solido nei data center e in altre applicazioni di alimentazione ad alto voltaggio.

IXYS SCR sensibili SK002xSx

08/27/2026

- SCR sensibili con supporto di azionamento a microprocessore e elevata immunità al rumore.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V

08/25/2026

- Offrono un valore basso di RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa QG, oltre a capacità elettriche ridotte per minimizzare le perdite del driver.