Tipi di Semiconduttori discreti
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Produttore
= Microchip
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Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A
10/14/2026
10/14/2026
HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.
Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L
10/06/2026
10/06/2026
HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.
Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L
10/06/2026
10/06/2026
220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.
Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L
10/05/2026
10/05/2026
Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB
10/05/2026
10/05/2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB
10/05/2026
10/05/2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™
10/02/2026
10/02/2026
Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.
Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG
10/01/2026
10/01/2026
Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.
Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP
09/22/2026
09/22/2026
Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.
IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2
09/22/2026
09/22/2026
Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.
onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X
09/17/2026
09/17/2026
MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.
Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive
09/16/2026
09/16/2026
Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.
STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2
09/15/2026
09/15/2026
Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021
09/14/2026
09/14/2026
Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A
09/10/2026
09/10/2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB
09/10/2026
09/10/2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC
09/10/2026
09/10/2026
Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB
09/10/2026
09/10/2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A
09/10/2026
09/10/2026
Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.
Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325
09/09/2026
09/09/2026
Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).
IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.
IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC
09/02/2026
09/02/2026
MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali
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