Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03/31/2026

- Ideali per commutazione ad alta velocità, interruttori di gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver per motori.

Toshiba MOSFET N-Ch TPH2R70AR5

10/17/2025

- Ideale per i convertitori DC-DC ad alta efficienza, è disponibile in un package SOP Advance (N).

Toshiba Diodi Zener XCEZ per applicazioni per il settore automobilistico

08/29/2025

- Funzionalità: dissipazione di potenza di 150 mW e 300 mW e sono qualificati AEC-Q101.

Toshiba Diodi a barriera Schottky SiC TRSx

04/04/2025

- Questi diodi a barriera Schottky SiC hanno una tensione inversa di picco ripetitiva (VRRM) nominale di 1200 V.

Toshiba MOSFET a canale N L-TOGL e S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V

10/14/2024

- Alloggiati nel package L-TOGL™ per soddisfare la crescente domanda di batterie da 48 V nelle apparecchiature del settore automobilistico.

Toshiba MOSFET a canale N in silicio TKx

09/13/2024

- Disponibile nei modelli U-MOSX-H e DTMOSVI, offre caratteristiche prestazionali eccezionali.

Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5

09/10/2024

- Presenta un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettato con un processo Trench di generazione U-MOSX-H.

Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1100CQ5

08/12/2024

- Dotato di un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettato con il processo U-MOS HX Trench di ultima generazione.

Toshiba MOSFET a canale N in silicio UMOS9-H

05/13/2024

- Ideale per convertitori CC-CC ad alta efficienza, regolatori di tensione a commutazione e driver motore .

Toshiba Diodi Zener XCUZ

01/23/2024

- Progettati per l’uso nel settore automobilistico, presentano una dissipazione di potenza di 600 mW con qualifica AEC-Q101.

Toshiba Diodi a barriera Schottky SIC TRSx65H

07/26/2023

- Dispositivi 650 V basati sulla tecnologia di terza generazione che utilizzano Schottky metal.

Toshiba MOSFET SSM14N956L

06/09/2023

- Dotato di bassa resistenza di conduzione sorgente-sorgente e compatibile RoHS.

Toshiba MOSFET per il settore automobilistico da 40 V 400 A XPQR3004PB

02/13/2023

- Offre una RDS(ON) di 0,23 mΩ (tipica) e una tensione di soglia (Vth) da 2 V a 3 V, con capacità di 400 A.

Toshiba Diodi Zener CSLZ

11/21/2022

- Alloggiati in un piccolo package SL2.

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Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10/14/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10/06/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09/22/2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09/22/2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021

09/14/2026

- Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09/09/2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH110N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 18 mΩ e 112 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali

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