Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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Taiwan Semiconductor SMA6FxCAH/SMA6SxCAH TVS Diodes

04/02/2026

- AEC-Q101 qualified 600W, 12V to 60V surface-mount devices operating at 0.094%/°C maximum VBR.

Taiwan Semiconductor SMF4LxCA/AH Transient Voltage Suppressor Diodes

04/02/2026

- High-efficiency, low-power, 400W, 5V to 75V surface-mount devices ideal for automated placement.

Taiwan Semiconductor TESDA1L2B17P1Q1 ESD Protection Diode

02/19/2026

- Safeguards power interfaces, control lines, or low‑speed data lines within electronic systems.

Taiwan Semiconductor Schottky Barrier Rectifiers

08/11/2025

- These devices have a low power loss and are highly efficient.

Taiwan Semiconductor PLAD10J & PLAD10JH Rectifiers

08/05/2025

- 10A, 600V standard rectifiers with low power loss and high efficiency, in a ThinDPAK package.

Taiwan Semiconductor PLDS30J & PLDS30JH Rectifiers

08/05/2025

- 30A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.

Taiwan Semiconductor PLDS20J & PLDS20JH Rectifiers

08/05/2025

- 20A, 600V rectifiers with low VF drop and high surge current capability, in a D2PAK-D package.

Taiwan Semiconductor TESDA6V0U40P1Q0 ESD Protection Diode

07/22/2025

- AEC-Q101 qualified, unidirectional ESD protection diode to protect sensitive electronic components.

Taiwan Semiconductor BC85xBWH & BC857WH PNP Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC807-25H & BC807-40H PNP Transistors

07/10/2025

- 300mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor HS1Y 1A/1600V High Efficiency SMD Rectifiers

07/10/2025

- High-efficiency rectifiers designed for general-purpose and power supply applications.

Taiwan Semiconductor BC846BWH & BC847B/CWH NPN Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BC846BH & BC847B/CH NPN Transistors

07/10/2025

- 200mW, AEC-Q101 qualified small signal transistors, ideal for general switching and amplification.

Taiwan Semiconductor BZX84 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BZT52 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor MMSZ52 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BZX58 Surface Mount Zener Diodes

06/03/2025

- AEC-Q101 qualified diodes that are ideally suited for automated assembly processes.

Taiwan Semiconductor BAT Schottky Barrier Diodes

03/20/2025

- Offer low forward voltage and are ideal for reverse polarity protection applications.

Taiwan Semiconductor BAV Switching Diodes

03/20/2025

- Feature fast switching speed, low leakage current, and low power loss.

Taiwan Semiconductor SD103 Schottky Barrier Diodes

03/20/2025

- Feature low forward voltage, 150mA forward current, and low power loss.

Taiwan Semiconductor BAW Switching Diodes

03/20/2025

- Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS) and high-speed switching applications.

Taiwan Semiconductor 1N4148 Switching Diodes

03/20/2025

- Feature fast switching speed, high surge current capability, and high efficiency.

Taiwan Semiconductor BAS Switching Diodes

03/20/2025

- Ideal for Switching Mode Power Supplies (SMPS), adapters, and high-speed switching applications.

Taiwan Semiconductor Diodi TVS TLDxxAH

03/17/2025

- Da 26 V a 82 V, certificati AEC-Q101, diodi TVS unidirezionali a montaggio superficiale.

Taiwan Semiconductor PSAD Super Fast Surface Mount Rectifiers

01/30/2025

- Feature low power loss and high efficiency and are designed for automated placement.

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STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN Transistor

08/11/2026

- Offers extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation.

STMicroelectronics STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

08/10/2026

- Designed to ensure a high level of voltage and robustness for the automotive applications.

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor

08/10/2026

- Designed for high-efficiency and high-power switching applications.

Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes

08/04/2026

- Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.

onsemi Transistor digitali EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Progettati per sostituire un singolo dispositivo e la sua rete di polarizzione esterna a resistore.

onsemi MOSFET a canale N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Offre una bassa RDS(on) e una bassa tensione di soglia del gate e una protezione ESD integrata.

ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07/21/2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 A

07/20/2026

- Presenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.

IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 V

07/20/2026

- Raddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Proprietà materiali Wide-bandgap per bassa carica di gate e di uscita, commutazione rapida ed efficienza migliorata

Bourns Diodi TVS a montaggio superficiale CDDFN2

07/07/2026

- Protezione da ESD, EFT e sovratensione per le porte esterne dei dispositivi elettronici, limitando i danni critici.

Semtech Diodo TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- Diodo TVS 1-line da 28 V a bassissima capacità elettrica, protegge le linee di segnale ad alta velocità da scarica di elettricità statica (ESD) e sovraccarico elettrico (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Bourns Diodi TVS di grado automobilistico CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodi TVS bidirezionali per il settore automobilistico in un package SOD-323 compatto.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SPA

06/26/2026

- Matrici di diodi TVS per ESD, EFT e protezione da sovratensione attraverso le interfacce dati e di alimentazione.

Bourns Diodi TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06/25/2026

- Offrono una selezione di opzioni di tensione da 3 V a 36 V in configurazione bidirezionale.

Diodes Incorporated Diodo TVS bidirezionale D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositivo a bassa capacità progettato specificamente per proteggere le linee differenziali ad alta velocità.

Vishay MOSFET a canale N MXP075 MaxSiC® da 750 V

06/19/2026

- Presenta una tensione drain-source di 750 V, una velocità di commutazione elevata e un tempo di tenuta a cortocircuito di 3μs.

Navitas Semiconductor 3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

06/18/2026

- Based on latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology, offers flexible packaging formats.

Infineon Technologies Moduli EasyPACK™ S

06/12/2026

- Conversione di potenza efficiente in un package compatto e facile da integrare, progettato per i moderni progetti di alimentazione.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05/27/2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05/18/2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

Bourns Diodo TVS a montaggio superficiale CDSOT23-SM712-Q

05/12/2026

- Fornisce protezione per le porte dati in conformità con le norme IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4 e IEC 61000-4-5.

Infineon Technologies Moduli di potenza CIPOS™ Prime Automotive CoolSiC™

05/06/2026

- I moduli di potenza sono progettati per alte prestazioni nelle applicazioni xEV.

Littelfuse Diodi TVS AK-FL

05/04/2026

- Diodi TVS bidirezionali piatti e a bassa tensione con impiombatura assiale, FlatSuppressX™.

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