Ultime novità per Semiconduttori discreti

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Tipi di Semiconduttori discreti

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ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07/21/2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densità

04/10/2026

- I package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampati

03/17/2026

- Presenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRA

11/18/2025

- Questo MOSFET ha una tensione nominale VDSS di -40V e una corrente nominale ID (VDS= -10V) di ±22A.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN789FM

11/18/2025

- Piccolo package stampato adatto per un circuito di controllo automatico del guadagno e un amplificatore/attenuatore d'antenna.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BAT

11/18/2025

- Questo MOSFET ha una tensione VDSS nominale di -100V e una corrente ID nominale (VDS = 10V) di ±105A.

ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 V

10/17/2025

- I dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

10/16/2025

- MOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.

ROHM Semiconductor Robotica

10/13/2025

- Soluzioni a semiconduttore per il controllo intelligente del movimento, il rilevamento, la gestione dell'alimentazione e il controllo robotico.

ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale N

08/21/2025

- MOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBG

08/21/2025

- MOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxAT

08/21/2025

- Confezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.

ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2S

08/21/2025

- Un diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione.

ROHM Semiconductor Diodi PIN di grado automobilistico RNxMFH

08/21/2025

- Diodi di grado automobilistico con un package a stampo ultra-piccolo adatto per la commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor Diodo PIN RN242SM

08/20/2025

- Presenta una bassa capacità elettrica e un package ultra-compatto adatto alla commutazione ad alta frequenza.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 60 V RH7L04

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con qualifica AEC-Q101, 60 V (VDSS) e (ID) di ±40 A.

ROHM Semiconductor Diodi Zener JMZV8.2B da 5 mA

08/19/2025

- I dispositivi sono disponibili in un piccolo package di potenza stampato a iniezione adatto per applicazioni di regolazione di tensione.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza canale N 40 V RQ3G120BKFRA

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con tensione VDSS di 40 V e corrente ID nominale di ±12 A, qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7L03 60 V canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 60 V e ID nominale di ±35 A, certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7G04 da 40 V a canale N

08/19/2025

- Questi dispositivi sono MOSFET di grado automobilistico con certificazioneAEC-Q101, VDSS di 40 V e ID di ±40 A.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P -30 V RH7E04BBJFRA

08/19/2025

- Un MOSFET di grado automobilistico con VDSS di -30 V e ID di ±40 A nominali e qualificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60 V MOSFET di potenza a canale P

08/19/2025

- Un VDSS -60 V e un ID ±36 A di grado per il settore automobilistico MOSFET che è certificato AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RH7P04BBKFRA da 100 V a canale N

08/19/2025

- MOSFET di grado per il settore automobilistico con VDSS di 100 V e ID nominale di ±40 A, con certificazione AEC-Q101.

ROHM Semiconductor MOSFET a canale P per piccoli segnali -40 V RQ5G040AT

08/19/2025

- MOSFET con tensione di drain-source (VDSS) di -40 V e corrente di drain continua (ID) di ±4,0 A.

ROHM Semiconductor Transistor di potenza 2SAR579D3 PNP 1,5 A 160 V

08/06/2025

- Il transistor di potenza ha un basso VCE(sat) ed è adatto come amplificatore a bassa frequenza.

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Qorvo Transistor con ingresso GaN abbinato QPD1000A

10/14/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreti con ingresso corrispondente a 50Ω che operano da 30MHz-1215MHz su una linea di alimentazione a 28V.

Qorvo Transistor di potenza RF GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discreti GaN-on-SiC che operano da 1,2 GHz a 1,4 GHz.

Qorvo Transistor potenza RF GaN QPD2562L

10/06/2026

- HEMT GaN-on-SiC discreto da 200 W a 300 W che funziona da 2,5 GHz a 2,9 GHz e da 2,9 GHz a 3,3 GHz.

Littelfuse Diodo TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Offre una tensione di blocco inferiore rispetto alle tecnologie alternative come MOV e GDT.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK6-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK8-FB

10/05/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Infineon Technologies Modulo MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Modulo MOSFET CoolSiC da 1400 V per inverter di trazione per veicoli commerciali elettrici.

Littelfuse Matrici di diodi TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Capacità elettrica ultra bassa, design bidirezionale e protezione dell'apparecchiatura elettronica dalle scariche elettrostatiche (ESD) distruttive.

IXYS Moduli a diodi di rottura IXBOD2

09/22/2026

- Forniscono una protezione da sovratensione rapida e affidabile per applicazioni di elettronica di potenza più esigenti.

Littelfuse Diodi a barriera Schottky in silicio automotive DSxARP

09/22/2026

- Offrono una bassa caduta di tensione diretta e prestazioni elettriche stabili.

onsemi MOSFET di potenza a canale N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET automotive da 80 V con bassa resistenza in conduzione e diodo parassita a recupero morbido.

Vishay MOSFET di potenza a canale P da 40 V SQD50P04-09L per applicazioni automotive

09/16/2026

- Il dispositivo è ideale per applicazioni di controllo di potenza automotive, di distribuzione di potenza e industriali.

STMicroelectronics TVS unidirezionale a singola linea TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Progettato per proteggere la linea di alimentazione o altri ingressi/uscite a bassa velocità da scariche elettrostatiche (ESD) e piccoli transienti di sovratensione.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diodo di protezione ESD ESDM1021

09/14/2026

- Diodo ESD bidirezionale compatto da 2 V per la protezione delle linee GPIO e delle linee di alimentazione a bassa tensione.

Littelfuse Diodo TVS automotive TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protegge l'apparecchiatura elettronica sensibile dalle tensioni transitorie indotte dai fulmini.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK3-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK1-A

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Littelfuse Diodi TVS con terminali assiali AK10-FB

09/10/2026

- Progettati per soddisfare le severe condizioni di test di sovratensione per applicazioni di protezione delle linee sia in AC che in DC.

Texas Instruments JFET a doppio canale N a bassa potenza JFE2325

09/09/2026

- Destinato all'uso con sensori ad altissima impedenza, come i microfoni a condensatore a elettrete (ECM).

IXYS IXSH65N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 35 mΩ e 67 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH50N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 55 mΩ e 48,3 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH150N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 13,5 mΩ e 147 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

IXYS IXSH100N120L3KHV MOSFET in SiC

09/02/2026

- MOSFET SiC da 1.200 V, 21 mΩ e 102 A, consigliato per l'uso in alimentatori a commutazione industriali.

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