S80KS5123GABHM020

Infineon Technologies
727-S5123GABHM020
S80KS5123GABHM020

Produttore:

Descrizione:
DRAM SPCM

Scheda dati:
Modello ECAD:
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Infineon
Categoria prodotto: DRAM
RoHS::  
FBGA-24
S80KS5123
Tray
Marchio: Infineon Technologies
Sensibili all’umidità: Yes
Stile di montaggio: SMD/SMT
Tipo di prodotto: DRAM
Qualifica: AEC-Q100
Quantità colli di fabbrica: 676
Sottocategoria: Memory & Data Storage
Nome commerciale: HYPERRAM
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Scheda dati

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Codici di conformità
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Thailandia
Paese di origine dell'assemblaggio:
Thailandia
Paese di diffusione:
Taiwan
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Memoria HYPERRAM 2.0 S80KS5122 e S80KS5123

La memoria HYPERRAM™ 2.0 di Infineon Technologies S80KS5122 e S80KS5123 è una DRAM dinamica (DRAM) con auto aggiornamento ad alta velocità, a basso numero di pin e a basso consumo per sistemi integrati ad alte prestazioni che richiedono una memoria di espansione per scopi di scratchpad o buffering. I prodotti HyperRAM supportano le interfacce HYPERBUS™ e Octal xSPI conformi al profilo JEDEC JESD251, che sfruttano le caratteristiche tradizionali delle memorie con interfaccia parallela e seriale, migliorando le prestazioni del sistema e la facilità di progettazione e riducendone i costi. L'architettura a basso numero di pin rende HyperRAM particolarmente adatta alle applicazioni con limiti di potenza e di spazio sulla scheda che richiedono una RAM esterna al chip.

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