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CoolSIC MOSFET SiC

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Seleziona	Immagine	Codice	Produttore	Descrizione	Scheda dati	Disponibilità	Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.	Qtà	RoHS	Modello ECAD	Stile di montaggio	Package/involucro	Numero di canali	Vds - Tensione di rottura drain-source	Id - corrente di drain continua	Rds On - Drain-source sulla resistenza	Vgs - Tensione gate-source	Vgs th - Tensione di soglia gate-source	Qg - Carica del gate	Temperatura di lavoro minima	Temperatura di lavoro massima	Pd - Dissipazione di potenza	Modalità canale	Nome commerciale
	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 39,92 € 1.652A magazzino 72006/01/2027 previsto	Produttore Codice prodotto IMYH200R024M1HXKSA1 Codice Mouser 726-IMYH200R024M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Scheda dati	1.652A magazzino 72006/01/2027 previsto	39,92 € 29,42 €	Min: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	89 A	33 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	137 nC	- 55 C	+ 150 C	576 W	Enhancement	CoolSIC
	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R050M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 22,77 € 2.329A magazzino	Produttore Codice prodotto IMYH200R050M1HXKSA1 Codice Mouser 726-IMYH200R050M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Scheda dati	2.329A magazzino	22,77 € 18,24 € 15,77 € 14,92 € Offerta Offerta	Min: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	48 A	64 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	348 W	Enhancement	CoolSIC
	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 19,29 € 1.206A magazzino	Produttore Codice prodotto IMYH200R075M1HXKSA1 Codice Mouser 726-IMYH200R075M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Scheda dati	1.206A magazzino	19,29 € 14,41 € 12,46 €	Min: 1 Mult.: 1 Max.: 240			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	34 A	98 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	267 W	Enhancement	CoolSIC
	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 78,60 € 5.90702/09/2027 previsto	Produttore Codice prodotto IMYH200R012M1HXKSA1 Codice Mouser 726-IMYH200R012M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Scheda dati	5.90702/09/2027 previsto	78,60 € 64,95 € 58,51 €	Min: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	123 A	16.5 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	246 nC	- 55 C	+ 150 C	552 W	Enhancement	CoolSIC
	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package IMYH200R100M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,21 € 3.859In ordine	Produttore Codice prodotto IMYH200R100M1HXKSA1 Codice Mouser 726-IMYH200R100M1HXK	Infineon Technologies	MOSFET SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Maggiori informazioni su Infineon Technologies infineon 2000v coolsic mosfets	Scheda dati	3.859In ordine Nelle date di spedizione dell'ordine N. produttore: IMYH200R100M1HXKSA1 A magazzino: 0 In ordine: 499 11/03/2027 previsto 3.360 08/04/2027 previsto Tempo di consegna da parte della fabbrica: 52 settimane	16,21 € 12,11 € 10,47 € 9,91 € 9,25 €	Min: 1 Mult.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	2 kV	26 A	131 mOhms	- 10 V, + 23 V	3.5 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	217 W	Enhancement	CoolSIC