TO-247-3 Semiconduttori

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onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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3.599A magazzino
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Max.: 225

Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
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940A magazzino
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STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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328A magazzino
1.200In ordine
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IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
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629A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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23.257A magazzino
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Bourns Diodi Schottky SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
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2.918A magazzino
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Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
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886A magazzino
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onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V
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639A magazzino
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onsemi MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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5.921A magazzino
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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2.366A magazzino
Min: 1
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onsemi MOSFET SiC 20MW 1200V
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865A magazzino
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Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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1.098A magazzino
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onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
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278A magazzino
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IXYS MOSFET 30 Amps 600V
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4.520A magazzino
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onsemi Transistor bipolari - BJT 30A 450V 250W NPN
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5.343A magazzino
1.53002/10/2026 previsto
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Max.: 30


Littelfuse Diodi e raddrizzatori Schottky 2x 20A 100V Rectifier
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7.358A magazzino
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IXYS MOSFET MOSFET
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1.138A magazzino
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IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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1.352A magazzino
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IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1.403A magazzino
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onsemi MOSFET SuperFET2 800V
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1.472A magazzino
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IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
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1.050A magazzino
3029/09/2026 previsto
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onsemi MOSFET FRFET 650V 75A 27.4mOhm
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1.256A magazzino
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onsemi MOSFET SF3 650V 50MOHM
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1.905A magazzino
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onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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2.399A magazzino
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Mult.: 1


onsemi MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
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6.505A magazzino
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Mult.: 1
Max.: 225