NTBL045N065SC1

onsemi
863-NTBL045N065SC1
NTBL045N065SC1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SIC MOS TOLL 650V

Scheda dati:
Modello ECAD:
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onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
PSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
73 A
50 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
105 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 7 ns
Transconduttanza diretta - Min: 16 S
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 14 ns
Serie: NTBL045N065SC1
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Ritardo di spegnimento tipico: 26 ns
Tipico ritardo di accensione: 13 ns
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:
Filippine
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso RDS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 650 V

I MOSFET onsemi a 650V al carburo di silicio (SiC) offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio (Si). Questi MOSFET SiC da 650 V presentano una bassa resistenza di accensione e una dimensione compatta del chip per garantire una bassa capacità e carica di gate. I vantaggi includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Pompe di calore

La pompa di calore rappresenta una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile, sfruttando elettricità a basse emissioni per fornire calore affidabile. Mentre la sua funzione principale è il riscaldamento, gli innovativi modelli a ciclo inverso offrono anche capacità di raffreddamento. Inoltre, recuperando in modo efficiente il calore residuo ed elevando la temperatura a livelli pratici, le pompe di calore hanno un immenso potenziale di conservazione dell’energia. Con il passaggio delle aziende a un futuro a basse emissioni di carbonio, cresce la domanda di semiconduttori di potenza più efficienti. Per questa ricerca è fondamentale bilanciare costi, ingombro ed efficienza. I moduli di potenza intelligenti (IPM) di Onsemi emergono come una soluzione apprezzabile nel mercato delle pompe di calore, offrendo un design compatto, alta densità di potenza e funzionalità di controllo avanzate.

MOSFET NTBL045N065SC1 al carburo di silicio 33mohm

I MOSFET al carburo di silicio da 33 mohm NTBL045N065SC1 di Onsemi  sono alloggiati in un package TOLL    NTBL045N065SC1 e progettati per essere veloci e robusti. I dispositivi offrono una forza di campo di rottura dielettrica 10 volte maggiore e una velocità di saturazione degli elettroni 2 volte maggiore. I MOSFET offrono anche un intervallo di banda di energia 3 volte superiore e una conduttività termica 3 volte maggiore. Tutti   i MOSFET SiC di Onsemi    sono qualificati AEC-Q101 e compatibili con PPAP e sono specificamente progettati e qualificati per le applicazioni nel settore automobilistico e industriale.

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