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FFSH30120A-F155

Name: onsemi FFSH30120A-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH30120A-F155
Price: 14.69 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-FFSH30120A-F155

N. produttore:

FFSH30120A-F155

Produttore:

onsemi

Descrizione:

Diodi Schottky SiC SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

Scheda dati:

FFSH30120A-F155 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	Diodi Schottky SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-2
Configurazione:	Single
If - Corrente diretta:	30 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensione diretta:	1.45 V
Ifsm - Sovracorrente diretta:	230 A
Ir - Corrente inversa:	200 uA
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Vr - Tensione inversa:	1.2 kV
Serie:	FFSH30120A-F155
Confezione:	Tube
Marchio:	onsemi
Pd - Dissipazione di potenza:	500 W
Tipo di prodotto:	SiC Schottky Diodes
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Diodes & Rectifiers
Nome commerciale:	EliteSiC

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Scheda dati

FFSH30120A-F155 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Repubblica di Corea
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Diodi al carburo di silicio (SiC) FFSH10120A-F155

I diodi al carburo di silicio (SiC) FFSH10120A-F155 di onsemi offrono prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Gli FFSH10120A-F155 di onsemi presentano bassa resistenza in conduzione e un chip di dimensioni compatte che garantisce bassa capacità e carica del gate. I vantaggi del sistema includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.