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MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx
I MOSFET a livello logico canale N Trench Nexperia PXNx sono progettati per la gestione dell'energia ad alta efficienza in varie applicazioni. Questi MOSFET Nexperia presentano una bassa resistenza in stato attivo [RDS(acceso)], che vanno da 2,8 mΩ a 14 mΩ e supportano tensioni drain-source (VDS) di 60 V e 100 V. Questi MOSFET sono ottimizzati per la compatibilità a livello logico e sono adatti per il raddrizzamento sincrono secondario, i convertitori DC-DC, gli azionamenti motori, la commutazione di carico e l'illuminazione a LED. Questi MOSFET sono alloggiati in contenitori MLPAK33 e MLPAK56 termicamente efficienti che offrono un ingombro ridotto e prestazioni termiche potenziate. Con caratteristiche come la bassa carica del gate (Qg) e l'elevata robustezza della valanga, la serie PXNx garantisce un funzionamento affidabile in ambienti impegnativi.
