MOSFET di potenza MDmesh™ II

I MOSFET di potenza STMicroelectronics MDmesh™ II associano una struttura verticale alla disposizione a striscia degli STM per ottenere uno dei più bassi valori di resistenza in conduzione e carica del gate nel settore, caratteristica che li rende idonei ai più esigenti convertitori ad alta efficienza. Questi MOSFET di potenza MDmesh™ II sono totalmente isolati, hanno un integrato di profilo basso, con una maggiore distanza superficiale dal piedino alla piastra del dissipatore. Sono testati al 100% con il metodo avalanche e presentano bassi valori di capacitanza in entrata, carica del gate e resistenza in entrata al gate.
Maggiori informazioni

Tipi di Semiconduttori discreti

Modifica visualizzazione categoria
Risultati: 128
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Tipo di prodotto Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide cr 782A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra n 548A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package 385A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2 197A magazzino
1.00007/05/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 1.140A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 782A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.92 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 HV 2.706A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x5-12
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 517A magazzino
1.00005/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 360A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 540A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 458A magazzino
1.00005/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack 470A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 254A magazzino
1.00019/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2 478A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 203A magazzino
1.00019/03/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 250A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2 671A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 pack 383A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2 297A magazzino
4.20029/01/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 49A magazzino
7.200In ordine
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 404A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 1A magazzino
2.50005/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 654A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 189A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
2.00012/02/2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3