Diodi a barriera Schottky al carburo di silicio BSD

I diodi a barriera Schottky al carburo di silicio (SiC) BSD di Bourns sono progettati per applicazioni ad alta frequenza e alta corrente che richiedono una maggiore capacità di sovratensione diretta di picco, bassa caduta di tensione diretta, resistenza termica ridotta e bassa perdita di potenza. Questi componenti avanzati a banda larga aiutano ad aumentare l’affidabilità, le prestazioni di commutazione e l'efficienza nei convertitori CC-CC e CA-CC, alimentatori a commutazione, inverter fotovoltaici, unità di azionamento motori e altre applicazioni di raddrizzamento. Gli SBD SIC BSD di BOURNS offrono un funzionamento in tensione da 650 V a 1200 V con correnti nell’intervallo da 5 A a 10 A. Questi dispositivi altamente efficienti sono privi di corrente di recupero inverso per ridurre le EMI consentendo agli SiC SBD di ridurre significativamente le perdite energia.