2STR1160

STMicroelectronics
511-2STR1160
2STR1160

Produttore:

Descrizione:
Transistor bipolari - BJT Low-Volt Fast Switch NPN Pwr Tran

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
NPN
Single
1 A
60 V
60 V
5 V
210 mV
500 mW
+ 150 C
2STR1160
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Collettore DC/Guadagno base hfe Min: 180 at 500 mA, 2 V, 85 at 1 A, 2 V
Guadagno in corrente CC hFE max: 180 at 500 mA, 2 V
Tipo di prodotto: BJTs - Bipolar Transistors
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 8 mg
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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2STR1160 NPN Power Transistor

STMicroelectronics 2STR1160 NPN Power Transistor shows exceptional high gain performance coupled with a very low saturation voltage. The STMicroelectronics 2STR1160 NPN power transistor features very low collector-emitter saturation voltage, high current gain characteristics, fast switching speed, and a miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits. The STMicroelectronics 2STR1160 is ideal for use in LED, battery charger, voltage/relay driver, and voltage regulation applications.

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