MOSFET di potenza a trincea CoolSiC™ M1 da 650 V

I MOSFET di potenza a trincea   CoolSiC™ M1 da 650 V di Infineon Technologies combinano le potenti caratteristiche fisiche del carburo di silicio con caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d’uso del dispositivo. I MOSFET CoolSiC M1 sono costruiti su un processo all’avanguardia dei semiconduttori a trincea ottimizzato per fornire le minori perdite di applicazione e la   massima affidabilità di funzionamento . Adatti per temperature elevate e operazioni difficili, questi dispositivi consentono l’implementazione semplificata ed economica della massima efficienza di sistema.