TDS5311P.C

IC di protezione EOS TDS5311P SurgeSwitch™ 1 linea 53 V EOS

L'IC di protezione EOS TDS5311P SurgeSwitch™ 1 linea 53 V EOS di Semtech è progettato per fornire una protezione EOS ad alta energia con caratteristiche di temperatura e di limitazione superiori rispetto ai dispositivi TVS standard. Il dispositivo utilizza un FET resistente alle sovratensioni come elemento di protezione principale. Durante un evento EOS, la tensione transitoria del dispositivo supera la sua tensione di rottura nominale. Il FET, a sua volta, si attiva e conduce la corrente transitoria verso terra. La tensione di blocco TDS è pressoché costante nell'intero intervallo di corrente di picco nominale grazie alla resistenza ON estremamente bassa dei FET. Una tensione di bloccaggio inferiore alla massima corrente di impulso di picco rende l'IC più adatto a proteggere i circuiti integrati sensibili di oggi rispetto ai diodi TVS standard. Il TDS5311P è progettato per proteggere il bus di tensione o le linee dati con una tensione di funzionamento fino a 53 V. È classificato per una corrente transitoria ad alta energia fino a 24 A (tp = 8/20 μs) e può essere utilizzato per soddisfare lo standard industriale comune relativo alle sovratensioni di ±1 kV secondo la norma IEC 61000-4-5 (R_S = 42 Ω, C_S = 0,5 μF). Il TDS5311P di Semtech è contenuto in un piccolo package DFN a 6 pin da 2,0 mm x 2,0 mm e rappresenta un notevole risparmio di spazio sulla scheda rispetto ai tradizionali dispositivi nei ​​package SMAJ e SMBJ.