Archiviazione Flash universale (UFS) NAND a 176 strati 3.1

L’archiviazione Flash universale (UFS) 3.1 NAND 176-Layer di Micron è una soluzione di memoria flash di illuminazione rapida basata sulla tecnologia del gate sostitutivo 3D, ottimizzata per telefoni di fascia alta e di punta. 176-layer UFS 3.1 sblocca il potenziale di 5 g con prestazioni di scrittura sequenziale e lettura casuale più rapide fino a 75% rispetto alla precedente generazione 96-layer, consentendo il download di film 4 K a due ore in soli 9,6 s. 176-layer UFS 3,1 di Micron presenta un design compatto ideale per i fattori di forma piccoli e ad alta capacità richiesti nei dispositivi mobili. L’UFS 3.1 NAND a 176 strati di Micron   è disponibile nelle capacità 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1 TB e 2 TB