MOSFET 2N7002L 6 V canale N

I MOSFET a canale N 2N7002L da 6 V di Texas Instruments sono progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione. Questi MOSFET sono transistori ad effetto di campo in un package plastico con una bassa tensione di soglia del gate e bassa capacità di ingresso. I MOSFET a canale N 2N7002L sono dotati di una tensione drain-source da 6 V, una tensione gate-source da 7 V, una corrente sorgente 1,4 A e una corrente di drain pulsata 1,43 A (tp = 1s). Questi MOSFET operano in un intervallo di temperatura da -65 °C a 150 °C e includono una temperatura del terminale di 260 °C per la saldatura. Le applicazioni tipiche includono l'elettronica personale, l'automazione degli edifici e l'automazione industriale.