NCV57001FDWR2G

onsemi
863-NCV57001FDWR2G
NCV57001FDWR2G

Produttore:

Descrizione:
Gate driver isolati galvanicamente ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Scheda dati:
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onsemi
Categoria prodotto: Gate driver isolati galvanicamente
RoHS::  
NCV57001FDWR2G
SMD/SMT
- 40 C
+ 125 C
10 ns
15 ns
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Inverting, Non-Inverting
Numero di driver: 1 Driver
Numero di uscite: 1 Output
Corrente di uscita: 4 A
Prodotto: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo di prodotto: Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantità colli di fabbrica: 1000
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tensione di alimentazione - Max.: 5 V
Tensione di alimentazione - Min.: 3.3 V
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Scheda dati

Codici di conformità
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Filippine
Paese di origine dell'assemblaggio:
Filippine
Paese di diffusione:
Stati Uniti d'America
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.

Gate driver IGBT NCV57001F

Il gate driver IGBT NCV57001F di onsemi è un driver IGBT a canale singolo a corrente elevata, con isolamento galvanico interno, progettato per efficienza e affidabilità di sistema elevate. Questo gate driver presenta ingressi complementari, FAULT a drain aperto e uscite pronte, morsetto Miller attivo, UVLO accurati, protezione DESAT, spegnimento progressivo a DESAT. Il gate driver IGBT NCV57001F di onsemi supporta i segnali da 5 V e 3,3 V sul lato di ingresso e un ampio intervallo di tensione di polarizzazione sul lato del driver, compresa la capacità di tensione negativa. Questo gate driver offre un isolamento galvanico da >5 kVrms (classificazione UL1577) e capacità >1200 Viorm (tensione di lavoro). Le applicazioni tipiche includono alimentatoriper il settore automobilistico, motopropulsori per veicoli ibridi/elettrici (HEV/EV), inverter BSG e riscaldatori a coefficiente di temperatura (PTC) positivo.

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