UCC5870QDWJRQ1

Gate driver MOSFET IGBT/SiC UCC5870-Q1

Il gate driver IGBT/MOSFET SiC UCC5870-Q1 di Texas Instruments è un gate driver a canale singolo, isolato e altamente configurabile, ideale per la sicurezza funzionale, destinato a pilotare MOSFET SiC e IGBT ad alta potenza in applicazioni su veicoli EV/HEV. Protezioni con transistor di potenza come sovracorrente basata su resistore shunt, rilevamento di sovratemperatura e DEAT basato su NTC, tra cui arresto progressivo selezionabile o spegnimento a due livelli durante questi guasti. Per ridurre ulteriormente le dimensioni dell'applicazione, l'UCC5870-Q1 di Texas Instruments integra un morsetto Miller attivo da 4 A durante la commutazione e un pull-down del gate attivo mentre il driver non è alimentato. Un ADC a 10 bit integrato consente di monitorare fino a sei ingressi analogici e la temperatura del gate driver per una migliore gestione del sistema. Le funzioni di diagnostica e rilevamento sono integrate per semplificare la progettazione di sistemi conformi a ASIL-D. I parametri e le soglie per queste funzionalità sono configurabili utilizzando l'interfaccia SPI, che consente al dispositivo di essere utilizzato con quasi qualsiasi MOSFET SiC o IGBT.