RD3S100AAFRATL

ROHM Semiconductor
755-RD3S100AAFRATL
RD3S100AAFRATL

Produttore:

Descrizione:
MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

Scheda dati:
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ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
190 V
10 A
182 mOhms
20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 75 ns
Transconduttanza diretta - Min: 6 S
Picco di temperatura saldatore: + 265 C
Numero di pin: 3
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 20 ns
Serie: RD3
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 140 ns
Tipico ritardo di accensione: 15 ns
Alias n. parte: RD3S100AAFRA
Peso unità: 330 mg
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ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Scheda dati

Specification Sheets

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Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Repubblica di Corea
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Automotive Solutions

ROHM Automotive Solutions contribute to the continuing evolution of the automotive sector through a stable, long-term supply of high-quality products. An expansive lineup supports the transition towards increased electrification and connectivity. ROHM can provide optimized solutions to suit various customer needs by focusing on safety, comfort, and the environment.

MOSFET di potenza automotive canale N RD3x

I MOSFET di potenza a canale N RD3x per applicazioni automobilistiche di ROHM Semiconductor sono dispositivi di commutazione e raddrizzamento ad alte prestazioni progettati per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni di potenza e segnale. I componenti ROHM RD3x certificati AEC-Q101 sono caratterizzati da bassa tensione diretta, tempi di recupero rapidi ed elevata capacità di corrente di picco, rendendo i MOSFET ideali per una conversione di potenza efficiente e la protezione in sistemi elettronici compatti. Con opzioni su misura per il settore automobilistico, industriale ed elettronico di consumo, la famiglia RD3 supporta applicazioni quali convertitori CC-CC, driver per motori, illuminazione a LED e dispositivi alimentati a batteria. Il package compatto per montaggio superficiale (TO-252-3) e la bassa corrente di dispersione contribuiscono a realizzare progetti salvaspazio ed efficienti dal punto di vista energetico, mentre l'elevata affidabilità garantisce prestazioni stabili in condizioni difficili.

MOSFET di potenza SiC a canale N

I MOSFET di potenza al carburo di silicio (SiC) a canale N di ROHM Semiconductor non presentano corrente di coda durante la commutazione, con conseguente funzionamento più rapido e perdita di commutazione ridotta. La bassa resistenza in conduzione e le dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità elettrica e bassa carica di gate. Questi MOSFET di potenza SiC ROHM mostrano aumenti minimi della resistenza in conduzione e permettono una maggiore miniaturizzazione del package. Ciò consente maggiori risparmi energetici rispetto ai dispositivi al silicio standard, in cui la resistenza in conduzione può più che raddoppiare con l'aumento della temperatura.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100VDSS to 100VDSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and RDS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

MOSFET di potenza da 190 V 10 A a canale N

Il MOSFET di potenza da 190 V 10 A a canale N di ROHM Semiconductor presenta una bassa resistenza in conduzione e una velocità di commutazione rapida. Il MOSFET RD3S100AAFRA è facilmente configurabile per l'uso in parallelo. Il MOSFET di potenza RD3S100AAFRA di ROHM è progettato per applicazioni di alimentazione a commutazione.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

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