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RD3S100AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3S100AAFRATL
Price: 3.35 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

755-RD3S100AAFRATL

N. produttore:

RD3S100AAFRATL

Produttore:

ROHM Semiconductor

Descrizione:

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

Scheda dati:

RD3S100AAFRATL Scheda dati

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ROHM Semiconductor
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TO-252-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	190 V
Id - corrente di drain continua:	10 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	182 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	52 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	85 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	ROHM Semiconductor
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	75 ns
Transconduttanza diretta - Min:	6 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	20 ns
Serie:	RD3
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	140 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns
Alias n. parte:	RD3S100AAFRA
Peso unità:	330 mg

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ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Scheda dati

RD3S100AAFRATL Scheda dati

Specification Sheets

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Thailandia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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RD3S100AAFRATL

Produttore: ROHM Semiconductor

Descrizione: MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

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