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QPD0005TR13

Name: Qorvo QPD0005TR13
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0005TR13
Price: 5.23 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

772-QPD0005TR13

N. produttore:

QPD0005TR13

Produttore:

Qorvo

Descrizione:

GaN FETs 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Qorvo
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Vds - Tensione di rottura drain-source:	48 V
Marchio:	Qorvo
Guadagno:	18.8 dB
Tensione drain-gate massima:	48 V
Frequenza di lavoro massima:	5 GHz
Frequenza di lavoro minima:	2.5 GHz
Sensibili all’umidità:	Yes
Potenza di uscita:	5 W
Confezione:	Reel
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	QPD0005
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Alias n. parte:	QPD0005 QPD0005SR

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Codici di conformità

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Stati Uniti d'America
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor RF GaN QPD0005

I transistor RF GaN QPD0005 di Qorvo sono GaN discreto a percorso singolo su transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) SiC in un package DFN con involucro in plastica pressofuso. Questi transistor RF operano in un intervallo di frequenze da 2,5 GHz a 5 GHz. I transistor RF GaN QPD0005 di Qorvo sono transistor monostadio senza pari in grado di erogare P_SAT di 8,7 W al funzionamento 48 V. Questi transistor sono disponibili in un package 4,5 mm x 4,0 mm e sono conformi a RoHS. Le applicazioni includono WCDMA/LTE, stazione di base a macrocella, stazione di base a microcella, applicazioni generiche, small cell, antenna attiva e massive MIMO 5 G.

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QPD0005TR13

Produttore: Qorvo

Descrizione: GaN FETs 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor

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