Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.

Risultati: 6
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Dimensioni memoria
Tipo di interfaccia
Organizzazione
Package/involucro
Tempo di accesso
Tensione di alimentazione - Min.
Tensione di alimentazione - Max.
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - FBGA48 tray
Scheda dati
708A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (512k x16) parallel interface - TSOP44 tray
Scheda dati
76A magazzino
25220/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

8 Mbit Parallel 512 k x 16 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - FBGA48 tray
Scheda dati
480A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 FBGA-48 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM 8Mbit FeRAM (1M x8) parallel interface - TSOP44 tray
Scheda dati
141A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

8 Mbit Parallel 1 M x 8 TSOP-44 65 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
RAMXEED F-RAM
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 31 settimane
Min: 126
Mult.: 126
4 Mbit 512 K x 8 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
RAMXEED F-RAM
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 31 settimane
Min: 1
Mult.: 1
4 MB 256 K x 16 TSOP-44 120 ns 1.8 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray