Transistori di potenza CoolGaN™ Gen 2 da 650 V

I transistor di potenza CoolGaN™ Gen 2 650V di Infineon Technologies sono dotati di una tecnologia transistor GaN (nitruro di gallio) altamente efficiente per la conversione di potenza in un intervallo di tensione fino a 650 V. La tecnologia GaN di Infineon porta il concetto di modalità e a maturità con alti volumi di produzione end-to-end. Questa qualità pionieristica garantisce gli standard più elevati e offre le prestazioni più affidabile. I transistori di potenza CoolGaN™ Gen 2 da 650 V in modalità ad arricchimento migliorano l'efficienza del sistema e la densità di potenza grazie a una commutazione ultrarapida.