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SIHF080N60E-GE3

Name: Vishay SIHF080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHF080N60E-GE3
Price: 4.83 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

78-SIHF080N60E-GE3

N. produttore:

SIHF080N60E-GE3

Produttore:

Vishay / Siliconix

Descrizione:

MOSFET TO220 600V 14A E SERIES

Scheda dati:

SIHF080N60E-GE3 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Vishay
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220FP-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	600 V
Id - corrente di drain continua:	14 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	80 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	5 V
Qg - Carica del gate:	42 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	35 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Vishay / Siliconix
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	31 ns
Transconduttanza diretta - Min:	4.6 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	96 ns
Serie:	SIHF E
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	37 ns
Tipico ritardo di accensione:	31 ns
Peso unità:	2 g

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Scheda dati

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Technical Resources

TO-220 FULLPAK (High Voltage)

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

SiHF080N60E MOSFET di potenza Serie E

I MOSFET di potenza della serie E di Vishay / Siliconix SiHF080N60E sono caratterizzati dalla tecnologia della serie E di quarta generazione in un contenitore TO-220 FULLPAK. I MOSFET SiHF080N60E offrono una bassa cifra di merito (FOM) R_on x Q_g e una bassa capacitanza effettiva (C_o(er)). I MOSFET di potenza serie e SiHF080N60E Vishay / Siliconix hanno una tensione drain-source di 650 V di carica totale del gate di 63 nC.