DI006H03SQ

Diotec Semiconductor
637-DI006H03SQ
DI006H03SQ

Produttore:

Descrizione:
MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

Modello ECAD:
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Diotec Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel, P-Channel
4 Channel
30 V
4.2 A, 6 A
25 mOhms, 50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V, 2 V
11.7 nC, 11.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: Diotec Semiconductor
Configurazione: Quad
Tempo di caduta: 8.7 ns, 13.5 ns
Transconduttanza diretta - Min: 4 S, 3.5 S
Sensibili all’umidità: Yes
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 15 ns, 4.9 ns
Serie: DI0XX
Quantità colli di fabbrica: 4000
Sottocategoria: Transistors
Ritardo di spegnimento tipico: 17.5 ns, 28.2 ns
Tipico ritardo di accensione: 11.2 ns, 7.5 ns
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Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

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Stima Tariffa:

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