MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V
I MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V NVBLS0DxN08X di onsemi offrono un basso valore di RDS(on) per minimizzare le perdite di conduzione e una bassa QG, oltre a capacità elettriche ridotte per minimizzare le perdite del driver. Questi MOSFET sono inoltre dotati di un diodo di corpo a recupero morbido con bassa QRR. Ciascun MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V NVBLS0DxN08X di onsemi è disponibile nel package H-PSOF8L, è qualificato AEC-Q101 ed è compatibile con PPAP. Ogni dispositivo è senza piombo, privo di alogeni, privo di BFR e conforme alla direttiva RoHS. Queste caratteristiche rendono questi dispositivi ideali per il raddrizzamento sincrono (SR) nei convertitori CC-CC e CA-CC, come interruttore primario nei convertitori CC-CC isolati, negli azionamenti motori e nei sistemi per il settore automobilistico a 48 V.
