MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V

I MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V NVBLS0DxN08X di onsemi offrono un basso valore di RDS(on) per minimizzare le perdite di conduzione e una bassa QG, oltre a capacità elettriche ridotte per minimizzare le perdite del driver. Questi MOSFET sono inoltre dotati di un diodo di corpo a recupero morbido con bassa QRR. Ciascun MOSFET di potenza a canale N singolo da 80 V NVBLS0DxN08X di onsemi è disponibile nel package H-PSOF8L, è qualificato AEC-Q101 ed è compatibile con PPAP. Ogni dispositivo è senza piombo, privo di alogeni, privo di BFR e conforme alla direttiva RoHS. Queste caratteristiche rendono questi dispositivi ideali per il raddrizzamento sincrono (SR) nei convertitori CC-CC e CA-CC, come interruttore primario nei convertitori CC-CC isolati, negli azionamenti motori e nei sistemi per il settore automobilistico a 48 V.

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Vds - Tensione di rottura drain-source Confezione
onsemi MOSFET T10 80V TOLL CLIP
1.95018/12/2026 previsto
Nastro continuo
7,89 €
5,55 €
4,49 €
Nastrati
4,49 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 200
: 2.000
80 V Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V SG TOLL
2.00029/12/2026 previsto
Nastro continuo
7,09 €
4,75 €
3,81 €
Nastrati
3,81 €
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 200
: 2.000
80 V Reel, Cut Tape