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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Tecnologia
Nexperia GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Scheda dati
1.756A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
Scheda dati
238A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
Scheda dati
250A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
Scheda dati
249A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
Scheda dati
160A magazzino
9019/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
Scheda dati
220A magazzino
3019/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
Scheda dati
240A magazzino
1019/10/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Scheda dati
1.892A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Scheda dati
2.334A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Scheda dati
565A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Scheda dati
52A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN